场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区

英飞凌科技股份公司推出STD1703LT4场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS(on)与模式功能之间的平衡问题。STD1703LT4场效应晶体管可在增强模式MOSFET的饱和区工作。STD1703LT4场效应晶体管最适合电信和电池管理系统(BMS)中常见的热插拔、电子熔断器和保护应用。
　　耐用的模式操作和更高的脉冲电流都有助于实现较低传导损耗、更快启动和更短的停机时间。通过限制较高的励磁涌流，STD1703LT4场效应晶体管可在发生短路的情况下防止负载损坏。
　　供货
　　STD1703LT4场效应晶体管现可供货，有三个电压等级：100 V、150 V和200 V。它们可采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。这些行业标准封装兼容简易替换元件。