存储器层次结构
关键点：内存
6.1 随机访问存储器
随机访问存储器(Random-Access Memory,RAM)分为两类：静态的和动态的。静态RAM（SRAM）比动态RAM（DRAM）更快，但也贵的多。SRAM用来作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下。DRAM用来做主存以及图形系统的帧缓冲区。
- 1. 静态RAM
SRAM将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里，具有双稳态性，只要有电，它就会永远地保持它的值。即使有干扰来扰乱电压，当干扰消除时，又会恢复到稳定状态 - 2. 动态RAM
DRAM将每个位存储为对一个电容的充电。DRAM存储器可以制造得非常密集--每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。但是与SRAM不同，DRAM存储器单元对干扰非常敏感。当电容的电压被扰乱后，它就不会恢复了 - 3. 传统的DRAM
DRAM芯片中的单元（位）被分成d个超单元，每个超单元都由w个DRAM单元组成。一个d * w的DRAM总共存储了dw位信息。超单元被组织成一个r行c列的长方型阵列，这里rc = d。每个超单元有形如(i,j)的地址，这里的i表示行，j表示列。
如图6-3展示的是一个16x8的DRAM芯片组织，有d = 16个超单元，每个超单元有w = 8位，r = 4行，c = 4列。带有阴影的方框表示地址(2,1)处的超单元，信息通过称为引脚(pin)的外部链接器流入和流出芯片。每个引脚携带一个1位信号。 - 4. 内存模块
DRAM芯片封装在内存模块中，它插到主板的扩展槽上。如下图展示了一个内存模块的基本思想。示例模块用8个64Mbit的8M x 8的DRAM芯片，总共存储64MB，这8个芯片编号为0~7.每个超单元存储主存的一个字节，而相应超单元地址为(i,j)的8个超单元来表示主存中字节地址A处的64位字。
要取出内存地址A处的一个字，内存控制器将A转化成一个超单元地址(i,j)，并将它发送到内存模块，然后内存模块再将i和j广播到每个DRAM。作为响应，每个DRAM输出它的（i,j）超单元的8位内容，模块中的电路收集这些输出，并把它们合并成一个64位字，再返回给内存控制器。
- 5. 增强的DRAM
- 快页模式DRAM（异步）
- 扩展数据输出DRAM（异步）
- 同步DRAM（SDRAM）
- 双倍速率同步DRAM（Double Data-Rate Synchronous DRAM,DDR SDRAM）.
- 视频RAM（VRAM）
- 6. 非易失性存储器 如果断电SRAM和DRAM会丢失它们的信息，从某种意义上说，它们是易失性的。非易失性存储器，即使在掉电后，仍然保存着它们的信息。现在有很多种非易失性存储器，但是整体上都被称为只读存储器(Read-only Memory,ROM).
- PROM(可编程ROM)
- EPROM(可擦写可编程，Erasable Programmable ROM)
- EEPROM(电子可擦除PROM)
- FLASH（闪存，SSD就是基于闪存的磁盘驱动器）
存储在ROM设备中的程序通常被称为固件(fireware)。当一个计算机通电后，它会运行在ROM中的固件。
- 7. 访问主存
数据流通过总线的共享电子电路在处理器和DRAM主存之间来来回回。每次CPU和主存之间的数据传输都是通过一系列步骤完成的，这些步骤称为总线事务。读事务（从主存传送数据到CPU），写事务（从CPU传送数据到主存）
6.2 局部性
一个良好的计算机程序常常具有良好的局部性。也就是它们倾向于引用临近于其他最近引用过的数据和数据项。这种倾向被称为局部性原理。
- 时间局部性：在一个具有良好时间局部性的程序中，被引用过一次的内存位置，很可能在不远的将来再次多次被引用。
- 空间局部性：在一个具有良好空间局部性的程序中，被引用过一次的内存位置，很可能在不远的将来引用附近其他位置的内存。
6.3 存储器层次结构
计算机存储结构如下图，一般而言从高层往底层走，存储设备变得更慢、更便宜和更大。在最高层是L0,是少量快速的CPU寄存器，CPU可以在一个时钟周期访问它们，接下来是一个或者多个中型基于SRAM的高速缓存存储器，可以在几个时钟周期访问。然后是一个大的基于DRAM的主存，可在几十到几百个时钟周期内访问，接下来是慢速的本地磁盘，最后系统可能还包含了远程服务器。
