本文主要介绍晶闸管可控硅参数_晶闸管可控硅工作原理，晶闸管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构，它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。
晶闸管可控硅主要参数
额定通态平均电流，在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
正向阻断峰值电压，在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在晶闸管可控硅两端的正向峰值电压。晶闸管可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
反向阴断峰值电压，当晶闸管可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在晶闸管可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
控制极触发电流，在规定的环境温度下，阳极---阴极间加一定电压，使晶闸管可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
维持电流，在规定温度下，控制极断路，维持晶闸管可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
采用晶闸管可控硅技术对照明系统进行控制具有：电压调节速度快，精度高，可分时段实时调整，有稳压作用，采用电子元件，相对来说体积小、重量轻、成本低。但该调压方式存在一致命缺陷，由于斩波，使电压无法实现正弦波输出，还会出现大量谐波，形成对电网系统谐波污染，危害极大，不能用在有电容补偿电路中。（现代照明设计要求规定，照明系统中功率因数必须达到0.9以上，而气体放电灯的功率因数在一般在0.5以下，所以都设计用电容补偿功率因数）在国外发达国家，已有明文规定对电气设备谐波含量的限制，在国内，北京、上海、广州等大城市，已对谐波含量超标的设备限制并入电网使用。
晶闸管可控硅工作原理
在分析晶闸管可控硅工作原理时，我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成。当阳极A端加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态，此时由控制极G端输入正向触发信号，使得BG2管有基极电流ib2通过，经过BG2管的放大后，其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基极，故有ib1=ic2，电流又经BG1管的放大作用后，得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基极，使得BG2的基极电流ib2增大，从而形成正向反馈使电流剧增，进而使得晶闸管可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈，所以晶闸管可控硅一旦导通后无法关断，即使控制极G端的电流消失，晶闸管可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
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