Pspice——可控硅的控制

一、Schematic

器件信息:

器件 模型
信号源 V4、V5 Vdc/ SOURCE
开关 U1 Sw_tOpen/ ANL_MISC
可控硅 X1 MCR1906-6/ THYRISTR
电阻 R1 R/ ANALOG
可变电阻 R3 R_var/ ANALOG
GND 0  

激励源说明:

Vdc:直流电压

开关说明:

Topen:open的时间点,也就是初始闭合的时间。

Ttran:从close到open的过渡时间,也就是transition的意思。

开关还可以设置闭合和断开时的电阻值。

二、仿真结果

1、R3 set=0.01,即1K Ohm

可以看到,一开始开关闭合的时候,可控硅导通,电阻R1左端电压为0.7V左右(即可控硅导通压降),后续即使开关断开,可控硅仍可依据可控硅中导通的电流而保持导通,这与三极管或是MOS做导通开关是不一样的。

2、R3 set=0.1,即10K Ohm

此时,开关闭合时可控硅就无法导通,原因是因为R3太大,使得可控硅控制端G提供的电流小于门极触发电流Igt(1mA),R3至多4K左右。

参考资料

http://www.mamicode.com/info-detail-2138893.html

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