分析MOS管的门极驱动电路

  1.直接驱动

  电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡,一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。

       

  2.互补三极管驱动

  当MOS管的功率很大时,而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS管时,加互补三极管来提供较大的驱动电流来驱动MOS管。PWM为高电平时,三极管Q3导通,驱动MOS管导通;PWM为低电平时,三极管Q2导通,加速MOS管的关断;

  电阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振荡,一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;二极管D1是加速MOS的关断。

       

  3.耦合驱动(利用驱动变压器耦台驱动)

  当驱动信号和功率MOS管不共地或者MOS管的源极浮地的时候,比如Buck变换器或者双管正激变换器中的MOS管,利用变压器进行耦合驱动如右图:

  驱动变压器的作用:

  1.解决驱动MOS管浮地的问题;

       

  2.解决PWM信号与MOS管不共地的问题;3.-个驱动信号可以分成两个驱动信号;4.减少干扰。

       

猜你喜欢

转载自www.cnblogs.com/lishenxin/p/9968500.html
今日推荐