一、bootloader设计蓝图
写在前面：不想当将军的士兵不是好士兵，不想当设计师的程序员不是好程序员
1、bootloader的作用
就像航天器的助推器，将航天器带到指定的轨道。（启动linux内核）
代码包括两部分：
第一部分代码主要为第二部分代码做硬件准备；
第二部分代码主要完成一些高级功能，如内核启动、根文件系统启动。
2、设计方法–模仿uboot
自主模式：不需要人为干预，自动运行
开发模式：运行uboot的命令去开发
3、建立并分析uboot的工程
学会用Souce-Insight工具去分析大型的程序。
1、project–newproject
2、解压：在linux将2440的uboot的解压，注意linux的tai解压时分大小写的，比如Makefile和makefile能分开解压，但在windows中其中一个会被覆盖掉，所以只能在linux下解压
3、利用samba服务器映射到z盘（\192.168.1.108\root\home\S3-ARM\part4\uboot）
4、add and remove Project files，打开z盘（z:）–add all（共用3000+个文件）
5、注意默认状态下，只添加了.c和.h的文件，汇编文件没有添加。option–document option–c source file–手动添加.s和*.S文件（又用200+个文件）
6、为快速查看工程中函数的具体实现，使用《同步》功能，即点击上面有本小书的图标，几分钟后完成。鼠标点击函数会在下面出现函数的具体实现，双击则跳转到函数实现的文件中去了。
二、ARM处理器的启动流程
bootloader先做什么后做什么取决于arm的启动流程
1、支持的启动方式
2440：nor（2M）和nand（256M）
6410：SD卡和nand
2、地址布局
2440：处理器上电后，首先从0地址取第一条指令（nor flash的最前端）
搜索关键词：mapping，注意0x30000000就是SDRAM的起始地址。
6440：
0地址是镜像区域，内存运行时会将代码映射到镜像区域开始运行。
210：
3、启动流程
由于nand flash 不能参与统一编址，所以不能直接放到0地址处去运行。
2440：
BootSRAM（4k，又叫4k的stoping store，垫脚石）和nand flash的关系。
从nand启动的流程：首先cpu将nand flash前4k字节的数据自动的复制到stoping store（SRAM）中去（主要完成初始化工作），nand剩下的内容（例如操作系统）复制到内存（SDRAM）中，执行到stoping store中的程序后，再跳到内存中去执行。
6440：
首先运行iROM中（BL0）的程序，iROM是芯片厂商给大家固化好的软件，这个软件通常称为零阶段的bootloader（bootloader0），主要工作：1）完成硬件的初始化 2）将放在nand flash中的bootloader1最前面的8k拷贝到stoping store中去。（BL1再将剩余的bootloader（BL2）拷贝到SDRAM，完成整个bootloader的运行）
（首先iROM会映射到镜像区域（0地址处）开始运行）
210：
BL1 max size 16k，BL2 max size 80k，剩余的bootloader拷贝到内存中（SDRAM）。
210的启动还要更好玩一些，210内置了一块96KB大小的SRAM（叫iRAM），同时还有一块内置的64KB大小的NorFlash（叫iROM）。210的启动过程大致是：
第一步：CPU上电后先从内部IROM中读取预先设置的代码（BL0），执行。这一段IROM代码首先做了一些基本的初始化（CPU时钟、关看门狗···）（这一段IROM代码是三星出厂前设置的，三星也不知道我们板子上将来接的是什么样的DRAM，因此这一段IROM是不能负责初始化外接的DRAM的，因此这一段代码只能初始化SoC内部的东西）；然后这一段代码会判断我们选择的启动模式（我们通过硬件跳线可以更改板子的启动模式），然后从相应的外部存储器去读取第一部分启动代码（BL1，大小为16KB）到内部SRAM。
第二步：从IRAM去运行刚上一步读取来的BL1（16KB），然后执行。BL1负责初始化NandFlash，然后将BL2读取到IRAM（剩余的80KB）然后运行；
第三步：从IRAM运行BL2，BL2初始化DRAM，然后将OS读取到DRAM中，然后启动OS，启动过程结束。
6440和210与2440启动的不同：
2440是从垫脚石（本身就是0地址，不需要映射）开始运行的，6440和210是从iROM（需要映射到镜像区域）开始运行的。
备注：
内存：
SRAM 静态内存 特点就是容量小、价格高，优点是不需要软件初始化直接上电就能用
DRAM 动态内存 特点是容量大、价格低，缺点是上电后不能直接使用，需要软件初始化后才可以使用
PC机 内存需求大，而且软件复杂，不在乎DRAM的初始化开销，适合全部用DRAM.
外存：
NorFlash：特点是容量小，价格高，优点是可以和CPU直接总线式相连，CPU上电后可以直接读取，所以一般用作启动介质。
NandFlash(跟硬盘一样)：特点是容量大，价格低，缺点是不能总线式访问，也就是说上电CPU直接读取，需要CPU直接读取，需要一些初始化软件，通过时序接口读写。