CY62256 Static RAM 的读写

CY62256是一个32K*8位的静态RAM，适合一些小的项目和给一些RAM不大的MCU使用，最近正好试了一下这个东西，发现这个东西也很好用，但是网上的资料比较少，就拿出来写一写。

下面是CY62256的一些基本参数：
Temperature ranges
❐ Commercial: 0 °C to +70 °C
❐ Industrial: –40 °C to +85 °C
❐ Automotive-A: –40 °C to +85 °C
❐ Automotive-E: –40 °C to +125 °C
High speed: 55 ns
Voltage range: 4.5 V to 5.5 V operation
Low active power
❐ 275 mW (max)
Low standby power (LL version)
❐ 82.5 W (max)
Available in Pb-free and non Pb-free 28-pin (600-mil) PDIP,28-pin (300-mil) narrow SOIC, 28-pin TSOP I, and 28-pin reverse TSOP I packages

Logic Block Diagram

DIP

由上面的引脚定义和框图中可以看出，CY62256共有15根地址线，8根数据线，其中，6根为列地址线，9根为行地址线，这几根地址线又通过译码器选择相应的地址，因此我们在写地址时，既可以逐列存取，也可以逐行存取，也可以将这15根地址线看作一个整体进行操作，除此之外，还有OE输出使能（读使能），WE写使能和CE片选线。

下面是CY62256读数据时的时序：

writecycle

可见，我们在读数据时，要先将OE线拉低，CE先拉低，同时，为了保证地址的有效性，我们可以采取先准备好地址，然后拉低CE和OE线，最后读数据。

而在读数据过程中，
read

可以看到，我们在更换地址读取数据时，数据的准备不是立即完成的，而是至少要经过一段时间之后才有效，因此在读取数据时也应注意。

写数据的操作只讲一个通过WE控制的时序：
这里写图片描述

和读数据也是类似的，我们可以先准备地址，即先写好地址后，再拉低CE和WE线，然后写数据，连续的写数据操作时，可以保持CE低电平，通过WE的高低电平来控制数据的写入。

下面是用STC89C51写的并经过验证的读写程序

首先是位定义

//Control Pin

sbit WE=P3^5;
sbit OE=P3^4;
sbit CE=P3^3;

//Row Address
sbit A2=P2^0;
sbit A3=P2^1;
sbit A4=P2^2;
sbit A5=P2^3;
sbit A6=P2^4;
sbit A7=P2^5;
sbit A8=P2^6;
sbit A9=P2^7;
sbit A10=P3^7;

//Column Address
sbit A0=P1^0;
sbit A1=P1^1;
sbit A11=P1^2;
sbit A12=P1^3;
sbit A13=P1^4;
sbit A14=P1^5;

然后是一些基本的写地址和写数据操作

//写行地址

void SetAddressRow(unsigned int Address)
{
    A2   =  Address & 0x0001;
    A3   =  Address & 0x0002;
    A4   =  Address & 0x0004;
    A5   =  Address & 0x0008;
    A6   =  Address & 0x0010;
    A7   =  Address & 0x0020;
    A8   =  Address & 0x0040;
    A9   =  Address & 0x0080;
    A10  =  Address & 0x0100;
}


//写列地址
void SetAddressColumn(unsigned char Address)
{
    A0  =  Address & 0x01;
    A1  =  Address & 0x02;
    A11 =  Address & 0x04;
    A12 =  Address & 0x08;
    A13 =  Address & 0x10;
    A14 =  Address & 0x20;
}

//写数据
void WriteDate(unsigned char Date)
{
    P0 = Date;
}

然后就是向CY62256里某一地址写数据

//列地址2^6=64 行地址2^9=512 列地址 0~64 行地址 0~512 
void WriteToCy62256(unsigned char ColumnAddress,unsigned int RowAddress,unsigned char Date)
{
    SetAddressRow(RowAddress);
    SetAddressColumn(ColumnAddress);

    CE = 0;
    OE = 1;
    WE = 0;

    WriteDate(Date);

    WE = 1;
    CE = 1;

}

从CY62256里某一地址读数据

unsigned char ReadFromCy62256(unsigned char ColumnAddress,unsigned int RowAddress)
{
    unsigned char Date=0;   

    SetAddressRow(RowAddress);
    SetAddressColumn(ColumnAddress);

    CE = 0;
    OE = 0;

    Date = P0;

    CE = 1;
    OE = 1;

    return Date;

}

CY62256 Static RAM 的数据读写操作

CY62256 Static RAM 的读写

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