DDR3参数分析

记录一下DDR3文档查阅后的总结:




       关于1, CK和#CK是DDR3硬件接口差分时钟输入,所有控制和数据都是在差分时钟对上升沿采样;


       关于2, CL是从存储单元中输出到真正出现在内存芯片的 I/O 接口之间还需要一定的时间(数据触发本身就有延迟,而且还需要进行信号放大),这段时间就是CL(CAS Latency,列地址脉冲选通潜伏期);


       关于3, -125是芯片型号的一个后缀,对应tCK=1.25ns;


       关于4, -125后缀是时钟周期为1.25ns,CL=11个周期;


       关于5, 1.25nsx11 =13.75ns;  1600/8=200MHz; 1600MT/s实际上每秒1600兆次数据传输,反映单位时间内的传输速率。也就是总线频率1600MHz,因为1/s也就是1Hz。如果是数据传输速率为1333MT/s,即是1.333GT/s,但是我们习惯上称为1333MHz.


       由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式。


       最后,带宽的计算DDR3总线带宽: BW = 内存时钟频率×内存总线位数×倍增系数/8 = 10^9/1.25×16×8/8 = 12.8GB/s.



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