B Advanced Commands in Modern NAND flash Memories
除了基本命令（读、写和擦）之外，
NAND闪存支持一组高级命令。
这些高级命令是复制的，多平面的，
多模交错，是基本命令的扩展
一些使用限制
Multi-plane.
这个命令支持多个读、程序
在多个plane上，相同的die在一个完全相同的情况下
并行的方式。在现代的闪存芯片中，一个多平面
命令通常以两架plane为目标，或者以其一般的形式，
2 n的plane。多平面命令所针对的页面
必须有相同的芯片、die、plane和页面地址，也就是说，
对于不同的页面，只有块数可以是不同的。
多平面命令可以显著地提高flash
通过在内部提供高度的并行性
一个30-32的芯片，只有一个基本操作的成本
Multi-die Interleave
这个命令执行几个页面
读，页写，块擦除，还有另外两种类型
不同的高级命令（回退和多平面）
在同一块芯片上同时死亡。因为die是独立的,
对interleave命令没有限制。
copy-back。
这个命令将页面的数据移动到另一个页面
在同一平面内，不占据内部和
芯片的外部输入/输出总线。尽管在早期的产品中
复制支持28，29，假设地址是
源页和目标页面必须是奇数或
两者都是，在当前的产品中，这一限制已经放宽，
在我们的设计中没有考虑到。