日前消息指上海一家芯片制造企业已实现14纳米工艺量产，这是国内第二家芯片制造企业量产14纳米工艺，代表着国产芯片又多了一个新选择，为国产芯片的发展提供重要支持。
上海这家芯片制造企业数年前就已实现28纳米工艺量产，之后一直在推进14纳米工艺的研发，直到今年5月份传出消息指它的14纳米工艺良率已提升至25%，数个月过去真正实现14纳米工艺量产属于情理之中。
14纳米工艺无需先进的EUV光刻机，只要现有ASML可以对外出售的DUV光刻机就能实现，甚至该芯片制造企业已用于28纳米工艺生产的DUV光刻机采用多重曝光技术也能实现14纳米工艺，因此这家芯片制造企业可以在当下美国限制先进光刻机对中国芯片制造企业供应情况下也能实现14纳米工艺量产。
据悉为了加快14纳米工艺的量产，这家位于上海的芯片制造企业大举从中国台湾挖来关键技术人才，中国台湾的两大芯片代工企业早已实现14纳米工艺量产，台积电如今已推进至3纳米，联电也早在多年前就实现14纳米工艺量产，中国台湾的大量人才可以为它所用，加快了14纳米工艺研发的进程。
14纳米工艺比当前国内大量生产的28纳米工艺先进两代，可以满足更多国内芯片设计企业的需求，毕竟国内诸多芯片行业如今还在大量采用28纳米及以上工艺生产芯片，14纳米的推出将可以更好满足国内芯片设计企业的需求。
14纳米工艺是一个重要节点，它引入了FinFET技术，比28纳米工艺大幅提升了性能，对于汽车芯片等芯片可以提供更强的性能，目前仍然有较多国产汽车企业采用的骁龙820A就是一款采用14/16纳米工艺的芯片，将有助于国产汽车芯片进一步抢夺美国芯片的市场。
FinFET技术非常重要，这项技术可以演进至3纳米，台积电的第一代7纳米工艺就采用了DUV光刻机以多重曝光技术实现，因此国产芯片制造企业实现14纳米工艺也就意味着它们推进至7纳米工艺迈出了重要一步。
这几年国产芯片在美国的压力下爆发了巨大的潜力，芯片制造企业正是在美国的压力下加快研发了比14纳米工艺更先进的12纳米、相当于7纳米的N+1工艺等等，相信在它们实现14纳米工艺量产后，7纳米工艺的研发进程将大幅加快。
国内两家芯片制造企业实现14纳米工艺量产，也提升了国产芯片制造的可靠性，毕竟有了两家国产芯片制造企业14纳米，国内的14纳米工艺产能将倍增，国产芯片设计企业也有了更多选择，芯片生产供应也更有保障。
国产芯片在如此环境下加快创新，凸显出国产芯片不畏艰险的精神，即使难以获得更先进的光刻机，国产芯片也给予现有光刻机加快了芯片制造工艺的升级，相信国产芯片制造企业的技术必然会越来越先进，帮助国产芯片从芯片设计到制造都实现自主研发，这是美国没有想到的结果。