1、SCTWA50N120 1200V 碳化硅功率MOSFET具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。该器件将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。碳化硅（SiC）SCTWA50N120、SCT30N120H、SCTH70N120G2V-7功率MOSFET 1200V ，明佳达。
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：69 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：122 nC @ 20 V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1900 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：318W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：HiP247™
封装/外壳：TO-247-3
基本产品编号：SCTWA50
2、1200V SCT30N120H碳化硅功率MOSFET具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。
特性：
• 导通电阻随温度变化非常紧密
• 非常高的工作温度能力(TJ = 175℃)
• 非常快速和稳健的内在体二极管
• 低电容
应用：
• 太阳能逆变器、UPS
• 电机驱动
• 高压DC-DC转换器
• 开关电源
3、SCTH70N120G2V-7 1200V 碳化硅功率MOSFET具有30mΩ（典型值）和 90A（额定值）特性。此器件具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：150 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3540 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：469W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：H2PAK-7
封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
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