硬件、硬件开发、PCB、嵌入式、IE工程师面试经验(CVTE、OPPO、上海禾赛)

首先问了一下我应聘该职位的原因,以及对岗位的理解:

你对五年内的职业规划?

对工作地点和工作时间的认识:

(其实互联网公司加班是很普遍的,我觉得大家不要太局限这个问题,或者不要在面试官面前表现出来你很在意,这是送命的;许许多多的公司都告诉你本公司很少加班,但当你的平台越高,项目越来越繁多的时候,你希望获得更多的时候,加班是你的必须;其实当你跨入这个IT互联网行业的时候,加班就已经不可避免了,只是我们希望在多付出自己时间与精力的,同时能得到一定的类似金钱的回报而已;我想给足报酬而心甘情愿去加班的人总是不缺的;视源的加班其实是很受人诟病的,但相应的平台和工资也会高点,有利有弊吧,大家理性对待)

接下来具体就是关于自己硬件设计项目细节的问答了(我真的强烈安利一下大家把自己的项目资料整理一下,并通过PPT的形式去呈现,有时候会有不一样的效果)

在进行设计原理图的时候有没有自己进行过封装设计?

平常电路板都是怎么雕刻的,是否有寄过去淘宝店铺雕刻电路板的经历?电路板除了做过单面板还有其他类型没有呢?

激光雕刻机的原理?为什么有些激光雕刻机雕刻不了双面板的原因?

雕刻机的软件处理过程首先我们需要将计算机辅助设计软件(如PROTEL)设计好的PCB文件导出成为通用的加工格式文件。然后导入到CircuitCAM加工处理软件进行前期处理。CircuitCAM生成的用于驱动雕刻机的数据以二进制的形式存储在一个完整的加工文件中,该文件包含了电路板的板材面积格式、线路走向数据、钻孔数据及外形数据。CircuitCAM软件进行处理后就导出到BoardMaster软件中。BoardMaster是雕刻机进行操作的直接控制软件,该软件利用 CircuitCAM导入的加工文件直接进行控制雕刻机操作。该软件导入的加工文件直接进行控制雕刻机操作。主要的功能就是将其编译为机器命令驱动系统运行,所有 LPKF电路板刻制机都使用串行端口进行数据通讯。


一、你所了解的PCB布局规则是?

首先要考虑PCB尺寸大小。PCB尺寸过大的时候,硬质线条长、阻抗增加,抗噪声能力下降,成本也增加;过小,则散热不好,且临近线条易受干扰;在确定PCB的尺寸之后,在确定特殊元件的位置,最后根据电路的功能单元,对电路的元器件进行全面布局。

(1)在确定特殊元件的位置时要遵循以下原则:

  • 尽可能缩短高频元器件之间的连线,设法减少他们的分布参数和相互间的电磁干扰。易受干扰的元器件不能互相挨得太近,输入和输出元件应尽量远离。
  • 某些元器件或导线之间可能有较高的电位差,应加大他们之间的距离,以免放电引出意外短路。带高电压的元器件应尽量布置在调试时手不易触及的地方。
  • 重量超过15g的元器件,应当用支架加以固定,然后焊接。那些又大又重、发热量多的元器件,不宜装在印制板,而应装在整机的机箱底板上,且应考虑散热的问题
  • 对于电位器、可调电感线圈、可变电容器、微动开关等可调元件的布局应考虑整机的结构要求。

(2)根据电路的功能单元,对电路的全部元器件进行布局时,要符合以下规则:

  • 按照电路的流程安排各个功能电路单元的位置,使布局便于信号流通,并使信号尽可能保持一致的方向
  • 以每个功能电路的核心元件为中心,围绕它来进行布局,元器件应当均匀、整齐、紧凑的排列在PCB上,尽量减少和缩短各元器件的引线和连接
  • 在高频工作下的电路,要考虑元器件之间的分布参数,一般电路应尽可能使元器件平行排列。这样,不但美观,而且装焊容易,易于批量生产
  • 位于电路板边缘的元器件,离电路板边缘一般不小于2mm,电路板的最佳形状是矩形,当电路板的尺寸大于200mm*150mm,应考虑电路板所能承受的机械强度。

二、PCB设计多层板的规则:

时钟频率超过5MHz,或信号上升时间小于5ns时,为了使信号回路面积能够得到很好的控制,一般需要使用多层板设计(高速PCB普遍采用多层板来进行设计)。多层PCB有诸多优点,比如:抑制电磁干扰、装配密度高,体积小;电子元器件之间的连线缩短,信号传输速度快,方便布线;屏蔽效果好等等。

层叠原则:

  • 信号层应该与一个内电层相邻(内部电源层或内部地层),利用内电层的大铜膜来为信号层提供屏蔽。
  • 内部电源层和地层之间应该紧密耦合,也就是说,内部电源层和地层之间的介质厚度应该取较小的值。
  • 电路中的高速信号传输层应该是信号中间层,并且夹在两个内电层之间。这样两个内电层的铜膜可以为高速信号传输提供电磁屏蔽,同时也能有效地将高速信号的辐射限制在两个内电层之间,不对外造成干扰。
  • 避免两个信号层直接相邻。相邻的信号层之间容易引入串扰,从而导致电路功能失效。在两信号层之间加入地平面可以有效地避免串扰。
  • 多个接地的内电层可以有效地降低接地阻抗。例如,A信号层和B信号层采用各自单独的地平面,可以有效地降低共模干扰。
  • 兼顾层结构的对称性。以提高电源层和地层之间的电容,增大谐振频率。

元器件设计规则:

  • 多层板在设计的时候,各层应保持对称,而且最好是偶数铜层,若不对称,容易造成扭曲。
  • 多层板布线是按电路功能进行,在外层布线时,要求在焊接面多布线,元器件面少布线,有利于印制板的维修和排故。
  • 在走线方面,需要把电源层、地层和信号层分开,减少电源、地、信号之间的干扰。
  • 相邻两层印制板的线条应尽量相互垂直或走斜线、曲线,不能走平行线,以减少基板的层间耦合和干扰。

三、PCB设计中层的定义:

  • 机械层(Mechanical Layers)

    机械层,一般用于放置有关制板和装配方法的指示性信息,如PCB的外形尺寸、尺寸标记、数据资料、过孔信息、装配说明等信息。

  • 禁止布线层(Keep Out Layer)

    用于定义在电路板上能够有效放置元件和布线的区域。在该层绘制一个封闭区域作为布线有效区,在该区域外是不能自动布局和布线的。

  • 丝印层(Silkscreen layer)

    丝印层为文字层,属于PCB中的最上面一层,一般用于注释用。

    (1)顶层丝印层(Top Overlay)

    用于标注元器件的投影轮廓、元器件的标号、标称值或型号以及各种注释字符。

    (2)底层丝印层(Bottom Overlay)

    与顶层丝印层相同,若所有标注在顶层丝印层都已经包含,底层丝印层可关闭。

  • 阻焊层(Solder Mask)

    阻焊层是指印刷电路板子上要上绿油的部分。实际上这阻焊层使用的是负片输出,所以在阻焊层的形状映射到板子上以后,并不是上了绿油阻焊,反而是露出了铜皮。

  • Multi Layer(多层)

    电路板上焊盘和穿透式过孔要穿透整个电路板,与不同的导电图形层建立电气连接关系,因此系统专门设置了一个抽象的层——多层。一般,焊盘与过孔都要设置在多层上,如果关闭此层,焊盘与过孔就无法显示出来。

  • 钻孔层(Drill Layer)

    钻孔层提供电路板制造过程中的钻孔信息(如焊盘,过孔就需要钻孔)。

  • 信号层(Signal Layers)

    (1)顶层信号层(Top Layer)

    也称元件层,主要用来放置元器件,对于双层板和多层板可以用来布置导线或覆铜。

    (2)底层信号层(Bottom Layer)

    也称焊接层,主要用于布线及焊接,对于双层板和多层板可以用来放置元器件。

    (3)中间信号层(Mid-Layers)

    最多可有30层,在多层板中用于布置信号线,这里不包括电源线和地线。

  • 内部电源层(Internal Planes)

    通常简称为内电层,仅在多层板中出现,PCB板层数一般是指信号层和内电层相加的总和数。与信号层相同,内电层与内电层之间、内电层与信号层之间可通过通孔、盲孔和埋孔实现互相连接。


四、列举一个自己印象最深刻的关于硬件设计的一个项目:

五、单片机最小系统:(以AT89S52)

分别由电源、晶振、复位三大模块组成

六、你了解晶振么

1.晶振原理

晶振具有压电效应,即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形,反过来如外力使晶片变形,则两极上金属片又会产生电压。

在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振,它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。

2.晶振分类

晶振可分为有源晶振和无源晶振。

无源晶振:

  • 无源晶振为晶体,为2引脚的无极性器件
  • 一般需要借助与负载电容形成时钟电路,从而产生振荡时钟信号
  • 误差大,价格便宜

有源晶振:

  • 有源晶振为振荡器,一般为4个引脚
  • 有源晶振不需要CPU的内部振荡器,信号稳定,质量较好,而且连接方式比较简单
  • 误差小,价格相比无源晶振贵。

3、晶振作用(晶振其实就相当于计算机CPU的主频)

主要作用: 在各种电路中,产生震荡频率的元器件(频率越高,单片机运行的速度越快)。

http://t.csdn.cn/oNTSz

七、三极管与MOS管(绝缘栅型场效应晶体管)的区别:

NPN三极管:

基极就是控制端,即相比一个水阀,当控制端有电流输入的时候,电流便从输入端流入输出端

PNP三极管:

但控制端有电流输出的时候,电流便从输入端流入输出端·

 三极管电路:

1、三极管的主要参数:放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带

2、放大电路的组成原则:

  • 发射结正偏、集电极反偏
  • 能够输入和输出信号
  • 能够不失真的放大信号

3、基本共射极放大电路

各元件的作用:

Vcc:为集电极提供反偏电压

Vbb:为发射极提供正偏电压 

其中的Rb和Rc的一个重要功能就是将输入的信号提取出来,即转换成有限功率的输入输出信号。再简单一点就是获得一个电流。

Rc:将Ic的变化转换为Vo的变化

4、三极管的高频增益受到哪些因素的影响:

三极管内部还存在寄生电容,它相当于是并接到地,若信号频率太高,则会通过寄生电容倒地以致信号失真。

5、如何调整三极管的增益:

  • 输入信号频率
  • 当信号源为电压型信号源时,输入电阻越大越好,输入电阻越大,从信号源索取的电流就小;当信号源有电阻时,Ri越大,放大电路所获得输入电压就越高;当信号源为电流源信号源时,Ri越小越好,Ri越小,放大电路获得的输入电流Ii就越接近信号源电流。

MOS管:

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。

场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

MOS管特点:

  • 输入阻抗非常高,因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物,甚至可达上亿欧姆,所以他的输入几乎不取电流,可以用作电子开关。
  • 导通电阻低,可以做到几个毫欧的电阻,极低的传导损耗,。
  • 开关速度快,开关损耗低,特别适应PWM输出模式。
  • 在电路设计上的灵活性大,栅偏压可正可负可零,三极管只能在正向偏置下工作,电子管只能在负偏压下工作
  • 低功耗、性能稳定、抗辐射能力强,制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。
  • 极强的大电流处理能力,可以方便地用作恒流源。
  • MOS管栅极很容易被静电击穿,栅极输入阻抗大,感应电荷很难释放,高压很容易击穿绝缘层,造成损坏。

MOS管的主要参数:

1、静态特性参数:

BVDSS:漏源击穿电压,为正温度系数

BVGS:栅源击穿电压

VGS(th):阈值电压,为负温度系数

VSD:体二极管正向电压

RDS(on):导通电阻

RGS:栅源电阻,栅源之间电压与栅极电流之比

IDSS:零栅压漏极电流,正温度系数

IGSS:栅源漏电流,特定的栅源电压下流过栅极的电流

2、动态特性参数:

Ciss输入电容,漏源短接,交流信号测得的栅极和源极之间的电容。

Ciss=Cgs+Cgd,输入电容充电到阈值电压时器件开启,放电到一定值器件关断,因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有直接影响;

Coss输出电容,栅源短接,交流信号测得漏极和源极之间的电容。

Coss=Cds+Cgd,对于软开关应用,可能引起电路谐振;

Crss反向传输电容,源极接地,测得漏极和栅极之间电容,等同于Cgd。

也叫做米勒电容,对于开关的上升和下降时间及其重要。

关于三极管和MOS管的区别,简单总结了几句话便当大家理解:

从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。

从价格上来说:三极管低价,MOS管贵。

关于功耗问题:三极管损耗大适合小规模集成,MOS管损耗小适合大规模集成。MOS管的上限频率远远超过三极管的上限工作频率。

关于驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。而三极管用于放大,(工作时,三极管工作在放大区)用来组成放大电路;电子开关,(工作时,三极管工作在饱和区和截止区),用来控制电路通断。

关于导电:MOS管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,也有少子导电,称之为双极性器件。

具体区别:

(1)、MOS管和三极管符号

MOS管一般可以简化为三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D),MOS器件是电压控制型器件,用栅极电压来控制源漏的导通情况;

BJT三极管有三个极,分别是基极(B)发射极(E)和集电极(C),三极管是电流控制型器件,用基极电流来控制发射极与集电极的导通情况;

(2)、MOS管和三极管截止区

NMOS管的如果栅压小于阈值电压,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通;

NPN三极管也一样,如果偏压小于阈值电压,也相当于两个背靠背的二极管,不导通;

(3)、MOS管和三极管线性区

NMOS如果栅上加正电压,就会在其下感应出相反极性的负电荷,从而产生N型沟道,使源漏导通。如果不考虑源漏电压影响,则栅压高一点,产生的沟道就宽一点,导通能力就大一点,这就是线性区。

NPN管如果BE结加正向偏置导通,电子就会进入到基区。除了被基区的P型空穴俘获外,它们有两个地方可以去:一个是从基极流出,一个是被集电极更高的正电压吸收。集电极电压越高,能收集到的电子就会越多,这也是线性变化的。

(4)、MOS管和三极管饱和区

NMOS在漏极电压比较高时,会使沟道夹断,之后即使电压升高,电流不会再升高,因此叫做饱和区;

NPN三极管在集电极电压比较高时,也会几乎全部收集到从发射极过来的电子,电压再升高也没有办法收集到更多,也是它的饱和区。

(5)、MOS管和三极管电流电压曲线

MOS管和三极管区别的在线性区,随着电压升高,源漏电流或集电极电流上升。而在饱和区电压升高,电流基本都保持不变。二者的趋势基本一致。

八、运算放大器与比较器的区别

1、运算放大器概念:

运算放大器是一个内含多级放大电路的电子集成电路,其输入级是差分放大电路,具有高输入电阻和抑制零点漂移能力;中间级主要进行电压放大,具有高电压放大倍数,一般由共射极放大电路构成;输出极与负载相连,具有带载能力强、低输出电阻特点。

比较器概念:

2、区别:

运放:

  • 内部电路一般采用推挽双极性输出结构
  • 既可以用于负反馈放大电路也可以用于正反馈放大电路
  • 可以用于信号电压比较

比较器:

  • 内部电路一般为集电极开路结构
  • 不可以用于线性放大电路,一般用于开环控制
  • 在信号电压比较方面,相比运放,比较器有着更快的转换速率和更低的延时

九、跟硬件相关的仪器

1、数字万用表:当万用表没电时,电池电压低导致基准电压下降,由于显示值是和待测电压与基准电压的比值成正比,测出来的电压会偏大

2、函数信号发生器:

3、示波器:

带宽、采样率和存储深度是数字示波器的三大关键指标

带宽:示波器的带宽应为所测信号最高频率的3-5倍;究竟什么是示波器的带宽我们可以这样来理解:在示波器输入端输入正弦波信号时,幅度衰减至原信号幅度的0.707倍的那个频率点,称之为示波器带宽。也就是说,假如一个示波器的带宽为100MHz的话,用它测试一个频率为100MHz,振幅为1Vpp的信号时,最后所测的信号幅度只有100MHz,0.707Vpp了。

采样率作用:

  • 示波器采样率越快,那么重建出来的波形就越接近原始信号,重要信息和事件丢失的概率就越小。
  • 示波器的采样率就是对输入信号进行模数转换时采样时钟的频率,通俗的讲就是采样间隔,每个采样间隔采集一个采样点。比如1GSa/s的采样率,代表示波器具备每秒钟采集10亿个采样点的能力,此时其采样间隔就是1纳秒。
  • 对于实时示波器来说,目前普遍采用的是实时采样方式。所谓实时采样,就是对被测的波形信号进行等间隔的一次连续的高速采样,然后根据这些连续采样的样点重构或恢复波形。在实时采样过程中,很关键的一点是要保证示波器的采样率要比被测信号的变化快很多。

 http://t.csdn.cn/nx1hB

 存储深度:

频谱分析仪:

http://t.csdn.cn/2ICEJ

十、电容、电阻、电感的高频等效模型

高频电阻:(分压、限流、保护,把电能转化为热能)

高频电容:(滤波、耦合、整流、充放电、储能、隔直通交)

 

高频电感:(滤波、隔交通直)

 

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