最近本来想深入得看下二极管的，然后就自然接触到了“硅”，就想到了一个问题：
为什么半导体材料以硅为主，那除了硅还有那些呢？它们有哪些特点呢？
虽然我天天用芯片，但是我其实对半导体行业知之甚少。所以呢，我去看了些东西，现在将我了解到的皮毛分享给大家。
虽然工作中这些也没什么用，但是相关产品已经做出来了，生活中已经能够接触到了，比如下面这些快充。
上面是我再京东上面搜索的65W的快充，这个“氮化镓”是厂家的主要宣传点。如果是100W快充的话，基本都是氮化镓的。
那么这个到底是不是“智商税”呢？
就这些快充而言，是不是氮化镓的，功能是没有差别的。不过氮化镓确实是时下较新的技术，氮化镓的晶体管损耗相比于硅管更小，带来的好处就是充电器的尺寸更小，显得“小巧玲珑”吧。
个人认为这也不算“智商税”吧，毕竟优势在那里，至于性价比，那是仁者见仁智者见智。
半导体材料的划分
上面说的氮化镓就是一种半导体材料，它也是第三代半导体，可以用来做器件，类似硅。
我们将硅通过掺杂可以得到N型和P型半导体，然后可以做成晶体管，进而做成器件，这些器件就是硅基器件。现在说的半导体材料，说的就是构成这个“基”的材料。对的，可以不用硅，用别的材料。
目前，半导体材料其实有很多种，主要有以下这些，主要分为三代，各自的特性如下图：
其实，总的来说，当今天下，还是Si的天下，毕竟95%以上的器件，99%的集成电路都是硅。但是时代也在发展，说不定哪天，硅被其它的材料取代。
这里不得不提“金刚石”，也就是钻石啊，现在它还在实验室阶段，但是它也被称之为“终极半导体”，就问你牛不牛逼？
话说金刚石目前还处于实验室阶段，就被吹得这么牛逼，有什么道理？
半导体材料参数
要知道金刚石半导体为什么这么“屌”，就需要知道下面这些半导体的参数，这里有个表格对比，没有对比就没有伤害。
纠正下，图中金刚石的电子迁移率和空穴的迁移率数据反了，应该电子迁移率是4500，空穴迁移率是3800
注：表仅供参考
上面的6个参数，容易理解一点的就是击穿场强和热导率。击穿场强高，适合做耐高压的器件。热导率高，说明散热好。
其它几个参数的作用也很重要，因为他们与功耗，晶体管的开关速度（速度快适合做高频器件）等等关系很大。
暂时不懂这些参数也没关系，我准备下期再说说我对这些参数的理解。
现在只需要知道这些数值越大越好。
我们将金刚石与硅相比，是不是各项参数金刚石遥遥领先？这就意味着耐高压，耐高温，速度快，功耗低，这也应该是被称为“终极半导体”的原因吧。至于现在为什么还没用，自然是技术还没达到。
以上是个人最近才了解的皮毛，如果有错误，请留言指正，大家一起沟通交流。
