常用半导体器件之二极管

1.PN结的伏安特性

U(BR)反向击穿电压

2.PN结的电容效应

耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。


扩散区内,电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同,这种电容效应成为扩散电容Cd。

它与流过PN结的正向电流i,温度的电压当量UT以及非平衡少子的寿命t有关。i越大、t越大、UT越小,Cd就越大。

结电容Cj = Cb+Cd,结电容通常为(1pF-几百pF),对低频信号大容抗,只有在信号频率高时才考虑结电容作用。

即高频情况下,二极管可以等效为一个理想二极管与一个电容的并联,这个并联的电容会对电路产生影响。

3.二极管的伏安特性

Uon开启电压、Is反向电流

二极管的主要参数

①最大整流电流IF 允许通过的最大正向平均电流

②最高反向工作电压UR 通常UR为击穿电压U(BR)的一半

③反向电流IR 未击穿时的反向电流。IR越小,二极管的单向导电性越好,对温度非常敏感。

④最高工作频率fM 工作的上限截止频率,超过此值时,由于结电容二极管将不能很好体现单向导电性。

4.稳压二极管


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