- 概述
IGBT、MOS等是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件。其中，城市轨道交通车辆的牵引逆变器、辅助逆变器等重要电气设备中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各种静态参数的测试为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据，因此在实践中能准确测量各种静态参数具有极其重要的实际意义。
半导体参数测试仪，是针对IGBT、MOS等器件的各种静态参数而专门设计的一套全自动测试系统。
该测试系统具有如下特点：
该测试系统是一套综合参数测试系统，对设备自身的抗干扰能力要求较高，因此难度比较大；
该测试系统完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试；
该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL 文件进行处理。
该测试系统主要由以下部分组成：
栅极-发射极漏电流测试单元
栅极-发射极阈值电压测试单元
集电极-发射极电压测试单元
集电极-发射极饱和电压测试单元
二极管压降测试单元
二极管反向击穿电压测试单元
- 技术条件
2.1 环境要求
A、环境温度湿度：室温～40℃，小于70%；
B、大气压力：86Kpa～ 106Kpa
C、电网电压：AC220V±10%无严重谐波
D、电网频率：50Hz±1Hz
2.2 主要技术指标
2.2.1 栅极-发射极电压VGES及漏电流IGES
电压VGES：0-40V 误差±2% 分辨率0.1V
电流IGES：0.1-10µA误差±2% 分辨率0.01µA
集电极电压：VCE=0V
2.2.2 集电极-发射极电压VCES及电流ICES
集电极电压VCES：100-2000V 误差±2% 分辨率1V
集电极电流ICES：100µA-5mA 误差±2% 分辨率10µA
栅极电压VGE=0V
2.2.3 栅极-发射极阀值电压VGE(th)
VGE(th)：1-10V误差±2% 分辨率0.1V
显示栅极-发射极阈值电压VGE(th)
2.2.4 集电极发射极饱和电压VCE(sat)
VCE（sat）：0.2-5V误差±2% 分辨率10mV
集电极电流ICE：10-100A误差±2% 分辨率1A
2.2.5 二极管压降测试VF
VF：0-5V误差±3% 分辨率10mV
栅极电压VGE：0V
电流IF：10-100A误差±2% 分辨率1A
2.2.6 二极管反向击穿电压BVR
电压设定：100V-2000V 误差±2% 分辨率1V
击穿电流设定：0.1-10mA 误差±2% 分辨率10uA - 功能概述
3.1 测试范围
该套测试设备主要可测试以下参数：
（1）栅极-发射极漏电流测试：VGES、IGES；
（2）栅极-发射极阈值电压测试：VGE(th) ；
（3）集电极-发射极电压测试测试：VCES、ICES；
（4）集电极-发射极饱和电压测试测试：VCE(sat)、ICE；
（5）二极管压降测试测试：VF、IF；
（6）二极管反向击穿电压测试:BVR
3.2 计算机控制系统
此设备的控制系统主要由计算机控制，计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元，设备的工作程序、工作时序、开关的动作状态和数据采集等均由计算机完成。
NI-USB-6009是一块多功能的数据采集卡，具有三组数据端口，8个模拟量输入端口，两个模拟量输出口、13个数字输出口。
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