内容根据秦磊华《计算机组成原理》正文及习题和华科大网课及习题整理而来
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哈弗结构是指数据和指令分别存放,这也是第一级缓存的构造原理。
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存储系统层次结构由Cache 、主存、辅助存储器三级体系构成
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局部性原理:时间局部性——现在被访问的信息不久以后还再次被访问;空间局部性——现在访问的信息的周围信息将在将来被访问
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存储字长是一个单元能存放的二进制位数的最大值;一般应该是字节的整数倍,与存放的数据类型无关‘
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寻址范围=存储器容量/字长换算得到的字节数
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访问16K的空间需要多少根地址总线?16000=11111010000000答案是14根
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访问16K的空间需要多少根译码输出线?
由上图可知,需要2^8根 -
动态存储器为什么比静态存储器更慢?
答:首先,静态存储器的主要原件是三极管,而动态存储器的主要原件是电容,相对于电容三极管更加灵敏;其次,对于输出信息方面,动态存储器是通过测量电容电压相对于边界电压大小来判断输出是0还是1,而静态存储器只需要测量输出电压和标准0福特电压的相对大小(正负)就可以得到输出;最后,静态存储器有持续供电,信息存储时效长,而动态存储器需要通过刷新来补充电荷,每次读写需要花费一定时间。 -
计数器的模就是计数器输出的状态数目
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DRAM地址线做了复用,只需要SRAM的一半即可
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集中刷新保持了存储器的高速特性,不足是存在死时间;异步刷新方式既保持了存储单体的高速特性,也不存在死时间
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只做位扩展时,所有存储芯片的片选信号都固定接0;根据字扩展选择片选信号的位数
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读操作也具有刷新功能
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DRAM三种刷新方式的比较
- 集中式刷新:刷新方式为前面的时间一直进行读取操作,后面的时间进行刷新。例如:对
64*64
的矩阵刷新,存取周期是0.5us,刷新周期为2ms存取一次的时间=刷新一次的时间,那么刷新完64行需要的时间为:64*0.5=32us
,说明这32us里不能进行读写操作 - 分散式刷新:它扩大了读写周期,也就是说读一次需要时间为0.5us的话,那么一次的读写周期为1us,因为它包含了刷新用的0.5us。
- 异步式刷新:它将每一行的刷新都分开来,也就是说只要在规定的时间完成对每一行一次的刷新就行了,(2ms/64)间隔进行一次刷新,这里的2ms是规定的,因为DRAM要求,至少2ms更新所有行一次。所以不存在死时间
- SRAM不管存储什么始终处于饱和导通状态