一.填空题
1 .Cache、主存、和 辅存 组成三级存储器系统，分级的目的是 提高访存速度，扩大存储容量 。
2.半导体静态RAM依据 触发器原理 存储信息，半导体动态RAM依据 电容存储电荷原理 存储信息。
3.动态半导体存储器的刷新一般有 集中刷新 、分散刷新 和 异步刷新 三种方式，之所以刷新是因为 存储电荷的电容放电 。
4.半导体静态RAM进行读写操作时，必须先接受 地址 信号，再接受 片选 和 读写 信号。
5.欲组成一个64K×16位的存储器，当分别选用32K×8位，16K×1位，1K×4位的三种不同规格的存储芯片时，各需 4 、 64 和 256 片。
6. 用1K×4位的存储芯片组成容量为64K×8位的存储器，共需 128 片，若将这些芯片分装在几块板上，设每块板的容量为16K×8位，则该存储器所需的地址线总位数是 16 ，其中 2 位用于选板， 4 位用于选片， 10 位用于存储芯片的片内地址。
7. 使用高速缓冲存储器是为了解决 CPU和主存的速度匹配问题提高访存速度 ，使用虚拟存储器是为了解决 扩大存储器容量 问题。
8. 由容量为16KB的缓存和容量为16MB的主存构成的存储器系统的总容量为 16MB。
9. 高位交叉编址的存储器能够提高访存速度的原因是 各个体分别响应不同请求源的请求实现多体并行 ，其地址的高位部分用于 选择体号 ，地位部分用于 选择存储体内的字 。
10.低位交叉编址的存储器能够提高访存速度的原因是 不改变每个体的存取周期的前提下增加存储器的带宽 ，其地址的高位部分用于 选择存储体内的字 ，地位部分用于 选择体号 。
二.简答题
1.试比较静态RAM和动态RAM。
动态RAM集成度高、功耗低、价格低。但由于它是以电容上的电荷存储信息的，必须定时刷新，所以接口电路比较复杂。
静态RAM速度快，但由于用双稳电路存储信息，集成度较低、功耗较大、成本较高。
2.什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。
刷新:对DRAM定期进行的全部重写过程:
刷新原因:因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排
了定期刷新操作:
常用的刷新方法有三种:集中式、分散式、异步式。
集中式:在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新，存在CPU访存死
时间。
分散式:在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死时间。
异步式:是集中式和分散式的折衷。
3.计算机中设置Cache的作用是什么？能否将Cache的容量扩大，最后取代主存，为什么？
计算机中设置Cache的作用是解决CPU和主存速度不匹配问题。
不能将Cache的容量扩大取代主存，原因是：
（1）Cache容量越大成本越高，难以满足人们追求低价格的要求；
（2）如果取消主存，当CPU访问Cache失败时，需要将辅存的内容调入Cache再由CPU访问，造成CPU等待时间太长，损失更大。
4.简要说明提高访存速度可采取的措施。
提高访存速度可采取三种措施。
(1)采用高速器件选用存取周期短的芯片可提高存储器的速度。
(2)采用CacheCPU将最近期要用的信息先调入Cache而Cache的速度比主存快得多这样CPU每次只需从Cache中取出(或存入)信息从而缩短了访存时间提高了访存速度。
(3)调整主存结构如采用单体多字结构(在一个存取周期内读出多个存储字可增加存储器的带宽)或采用多体结构存储器。
三.计算题
1.已知收到的汉明码（按配偶原则配置）为1100100、1100111、1100000、1100001，检查上述代码是否出错？第几位出错？
假设接收到的汉明码为：c1’c2’b4’c3’b3’b2’b1’
纠错过程如下：
P1=c1’⊕b4’⊕b3’⊕b1’
P2=c2’⊕b4’⊕b2’⊕b1’
P3=c3’⊕b3’⊕b2’⊕b1’
如果收到的汉明码为1100100，则p3p2p1=011，说明代码有错，第3位（b4’）出错，有效信息为：1100
如果收到的汉明码为1100111，则p3p2p1=111，说明代码有错，第7位（b1’）出错，有效信息为：0110
如果收到的汉明码为1100000，则p3p2p1=110，说明代码有错，第6位（b2’）出错，有效信息为：0010
如果收到的汉明码为1100001，则p3p2p1=001，说明代码有错，第1位（c1’）出错，有效信息为：0001
2.假设CPU执行某段程序时共访问Cache命中4800次，访问主存200次，已知Cache的存取周期为30ns，主存的存取周期为150ns，求Cache的命中率以及Cache-主存系统的平均访问时间和效率，试问该系统的性能提高了多少倍？
Cache被访问命中率为：4800/(4800+200)=24/25=96%
则Cache-主存系统的平均访问时间为：ta=0.96*30ns+(1-0.96)*150ns=34.8ns
Cache-主存系统的访问效率为：e=tc/ta100%=30/34.8100%=86.2%
性能为原来的150ns/34.8ns=4.31倍，即提高了3.31倍。
3.设主存容量为256K字，Cache容量为2K字，块长为4。
（1）设计Cache地址格式，Cache中可装入多少块数据？
（2）在直接映射方式下，设计主存地址格式。
（3）在四路组相联映射方式下，设计主存地址格式。
（4）在全相联映射方式下，设计主存地址格式。
（5）若存储字长为32位，存储器按字节寻址，写出上述三种映射方式下主存的地址格式。
（1）Cache容量为2K字，块长为4，Cache共有2K/4=211/22=29=512块，
Cache字地址9位，字块内地址为2位
因此，Cache地址格式设计如下：
Cache字块地址（9位）
字块内地址（2位）
（2）主存容量为256K字=218字，主存地址共18位，共分256K/4=216块
主存字块标记为18-9-2=7位。
直接映射方式下主存地址格式如下：
主存字块标记（7位）
Cache字块地址（9位）
字块内地址（2位）
（3）根据四路组相联的条件，一组内共有4块，得Cache共分为512/4=128=27组，
主存字块标记为18-7-2=9位，主存地址格式设计如下：
主存字块标记（9位）
组地址（7位）
字块内地址（2位）
（4）在全相联映射方式下，主存字块标记为18-2=16位，其地址格式如下：
主存字块标记（16位）
字块内地址（2位）
（5）若存储字长为32位，存储器按字节寻址，则主存容量为256K*32/4=220B，
Cache容量为2K32/4=214B，块长为432/8=16B，字块内地址为4位，
在直接映射方式下，主存字块标记为21-9-5=7位，主存地址格式为：
主存字块标记（7位）
Cache字块地址（9位）
字块内地址（4位）
在四路组相联映射方式下，主存字块标记为21-7-4=9位，主存地址格式为：
主存字块标记（9位）
组地址（7位）
字块内地址（4位）
在全相联映射方式下，主存字块标记为20-4=16位，主存地址格式为：
主存字块标记（16位）
字块内地址（4位）
4.某8位微型机地址码为18位，若使用4K×4位的RAM芯片组成模块板结构的存储器，试问：
（1）该机所允许的最大主存空间是多少？
（2）若每个模块板为32K×8位，共需几个模块板？
（3）每个模块板内共有几片RAM芯片？
（4）共有多少片RAM？
（5）CPU如何选择各模块板？
（1）该机所允许的最大主存空间是：218 × 8位 = 256K×8位 = 256KB
（2）模块板总数 = 256K×8 / 32K×8 = 8块
（3）板内片数 = 32K×8位 / 4K×4位 = 8×2 = 16片
（4）总片数 = 16片×8 = 128片
（5）CPU通过最高3位地址译码输出选择模板，次高3位地址译码输出选择芯片。地址格式分配如下：
5.设CPU共有16根地址线，8根数据线，并用MREQ（低电平有效）作访存控制信号，R/W作读写命令信号（高电平为读，低电平为写）。
现有下列存储芯片：ROM（2K×8位，4K×4位，8K×8位），RAM（1K×4位，2K×8位，4K×8位），及74138译码器和其他门电路（门电路自定）。试从上述规格中选用合适芯片，画出CPU和存储芯片的连接图。要求：
（1）最小4K地址为系统程序区，4096~16383地址范围为用户程序区。
（2）指出选用的存储芯片类型及数量。
（3）详细画出片选逻辑。
第一步，根据题目的地址范围写出相应的二进制地址码。
A15… A12A1 … AgA7 … AgA3 … Ao
0000000000000000
最小4KX 8位系统程序区
0000111111111111
0001000000000000
相邻12KX 8位用户程序区
0011111111111111
第二步，根据地址范围的容量及其在计算机系统中的作用，确定最小
4KB最小系统程序区选择2片4K X 4位ROM;与其相邻的12KB用户程
序区选择3片4K X 8位RAM。
第三步，分配CPU地址线
将CPU的低12位地址线A11~A0与2片4K X 4位ROM和3片4K X 8位
RAM的地址线相连。
第四步，形成片选信号。
将74138译码器的控制端G1接+5V, -G2A,-G2B分 别接A15和-MREQ.
CPU的A14.A13,A12分别接在译码器的C.B,A端。-Y0作为并联的
两片ROM的片选信号，-Y1,-Y2,-Y3分 别作为串联的3片RAM的片选信
号。
6.设CPU共有16根地址线，8根数据线，并用MREQ（低电平有效）作访存控制信号，R/W作读写命令信号（高电平为读，低电平为写）。现有8片8K×8位的RAM芯片与CPU相连，试回答：
（1）用74138译码器画出CPU与存储芯片的连接图；
（2）写出每片RAM的地址范围；
（3）如果运行时发现不论往哪片RAM写入数据后，以A000H为起始地址的存储芯片都有与其相同的数据，分析故障原因。
（4）根据（1）的连接图，若出现地址线A13与CPU断线，并搭接到高电平上，将出现什么后果？
(1)
(2)地址空间分配图:
RAM0:0000H-1FFFH
RAM1:2000H-3FFFH
RAM2:4000H-5FFFH
RAM3:6000H-7FFFH
RAM4:8000H-9FFFH
RAM5:A000H-BFFFH
RAM6:C000H-DFFFH
RAM7:E000H-FFFFH
(3)如果运行时发现不论往哪片RAM写入数据后，以A000H为起始地址的存储
芯片(RAM5)都有与其相同的数据，则根本的故障原因为:该存储芯片的片选输入
端很可能总是处于低电平。假设芯片与译码器本身都是好的，可能的情况有:
1)该片的CS端与WE端错连或短路:
2)该片的CS端与CPU的MREQ端错连或短路:
3)该片的CS端与地线错连或短路。
(4)如果地址线A13与CPU断线，并搭接到高电平上，将会出现A13恒为“1”
的情况。此时存储器只能寻址A13=1的地址空间(奇数片)，A13=0的另一半地址
空间(偶数片)将永远访问不到。若对A13=0的地址空间(偶数片)进行访问，
只能错误地访问到A13=1的对应空间(奇数片)中去。
