近期有消息指美国计划采取进一步的行动，限制中国台湾的台积电为华为代工芯片，试图借此进一步限制华为的发展，这激发了中国制造业同行的愤慨，它们正全力合作支持华为打破美国的限制。
目前华为的芯片普遍采用台积电的7nm工艺生产，中国最大、全球前五大芯片代工企业中芯国际已成功投产14nmFinFET工艺，与格芯、联电处于同一水平，进入第二阵营，目前它正积极研发7nm工艺。
受美国所影响，全球技术最领先的半导体设备供应商--荷兰阿斯麦公司一直被阻挠向中芯国际出售先进的极紫外（EUV）光刻机，为此半导体设备行业加快光刻机的研发，至去年4月武汉光电国家研究中心已成功研发出利用二束激光进行9nm芯片工艺制程的技术，可望快速推出符合中芯国际要求的光刻机，打破荷兰阿斯麦的垄断局面。
这意味着中国在光刻机技术上取得了突破性进展，打破了阿斯麦公司对光刻机设备的垄断局面，证明了在压力之下，中国的半导体设备厂商通过自主研发迅速提升了半导体设备的技术。
美国对华为的限制为中国芯片制造提供了契机，华为与台积电合作研发了从16nm至7nm先进工艺，在目前的环境下，华为正将部分芯片转交给中芯国际代工，增加了中芯国际的收入，随着华为与中芯国际的合作不断加深，华为所拥有的7nm工艺技术将有助于中芯国际加快7nm工艺的进程，再加上半导体设备厂商的支持，中芯国际或许将会迅速研发出7nm工艺，从而打破当前依赖台积电的局面。
其实在更早之前，特别是自棱镜门以来，中国就认识到了掌握芯片技术的重要性，早在2014年就成立集成电路产业基金，推动中国的芯片产业进入快速发展的阶段，自那之后中国的芯片企业如雨后春笋般涌现，在手机芯片、服务器芯片、穿戴设备芯片等方面取得了巨大的进展，涌现了一批如华为海思、紫光展锐、北京君正等各个行业的芯片行业领导者。
2018年中国在存储芯片行业又取得了重大突破，长江存储研发出NAND flash闪存芯片，合肥长鑫研发出DRAM存储芯片，2019年这两家芯片企业陆续实现规模量产。NAND flash和DRAM存储芯片均有韩日美企业垄断，中国两大存储芯片企业在存储芯片技术上的突破打破了它们的垄断局面。
华为目前已与长江存储达成合作，预计很快也将与合肥长鑫达成合作，华为是全球最大的通信设备商、第二大手机企业，对存储芯片的需求量极大，华为与国内存储芯片企业的合作可望加快国产存储芯片的发展。
可以说这一年多时间以来，美国对华为的限制激发了华为与国内产业链合作的动力，它们的共同合作将进一步增强中国产业链的技术发展，加快中国制造业的升级，这恐怕是美国所没有想到的。
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