完全なSRAMチップのテスト、テスト回路基板の必要性を設計します。テストテストインタフェースボードと主電源を提供します。赤色ハリケーンII-ザイリンクスFPGA開発ボードによって提供されるチップ制御信号やデータ信号（タイミング制御信号及びデータ信号に応じて、分周後の試験クロックを提供することを含む）エンジニアリングISE13.2、書き込みVerilogのテストプログラムを確立するために、テストソフトウェアを使用して、JTAG PROM、再パワーテスト信号RIGOL DS1102CAキャプチャ2チャンネルオシロスコープを介してFPGAにダウンロード。
オシロスコープのチャネル1は、書き込みに接続されているチャネル2は、データ端子D7に接続され、イネーブル信号。図1に示すように、波形データは、データチャネル1、チャネル2及び受信波形を介して受信します。アドレスは、図2に、チップ端子CSをローを選択し、OOOでテスト入力ベクトルの設計は、図1、領域WT = * 0「RD = 『1』、RD =」0」 が読み出されますデータが"0"である; B領域WT = "1"、データ"0"; C領域WT = "0"、RD = "1"、 書き込みデータが"1" D領域WT- "1"であり、RD - 「1」、良好ポートの読み出しレベルの変化「1」、リードライトセグメントはローレベルの信号を加え弱の出力ポートには、ない観察するために、E領域WT =「1」、RDを=「0」、読み出しデータが「1」で、プロセスは、見かけ上読み出しデータ「1」とすることができる。図からデータ「0」を見て「1」を読み取ることができるように正常に書き込まれています。
実際のチップは、シミュレーションを用いて、設計目標を満たすことができるかどうかを確認するために、SRAMにデータを書き込んだ後、例えばD7、10100011に入力テストベクトルは、図に示すような波形を読み出します。OOO 111は、すべてのアドレス、書き込みを横断し、適切に動作する端末ごとのデータを検証するために、データを読み取るために、各データポートの結果が正しく機能を示しています。
存取时间也是SRAM的一个重要参数，它可以表示存储器的工作速度。测量得到，存取时间=299.4ns-293.2测量存取时间时，不同的数据端口会有ns=6.2ns。较小差别，这与实际芯片制造和不可避免的测量误差均有关。
测试可知：当电源电压为3.3MHZ。工作时，测得电作正常，工作频率可达20源上的最大电流约为1.8545由此可得功耗丝mA，为6.11985mW。