我们只知道半导体的基本概念和载流子的统计分布，还得知道载流子的运动规律。所以需要学习载流子的漂移运动。
电导率和迁移率之间的关系：σ=nqμ
载流子在运动的过程中，受到晶格热振东或者电离杂质以及其他杂质离子的影响，不断遭到散射，载流子速度被改变 载流子为什么会遭受散射？根本原因是因为周期性势场被破坏。
电离杂质散射：主要是一个库伦势场。
晶格振动的散射：原子的振动都是若干不同的基本波动按照博得叠加原理组合而成，这些基本波动称为格波。格波矢量q表示格波的波长和传播方向。Q=2pi/lamda.
N个原胞构成的半导体晶体，共有N个不同波矢q的格伯，对每一个格波又有6个频率不同的格波。
其他因素：等同的能谷间散射，中心杂质散射，位错散射。合金散射。
4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
耿氏效应：在两端电极上加电压，当半导体内电场超过3×10^3的时候，半导体内的电流就以很高的频率震荡。因为电子从能谷1转移到能谷2，发生谷间散射，准动量有较大的改变，有效质量大为增加，迁移率大大降低，平均漂移速度减小，电导率下降，产生负阻效应。
