在“自我刷新”资料里，多次的提到CKE信号线。那我们就来看一下SDRAM的信号线吧。
可以看到CKE是时钟使能。正常使用期间这个信号线都处于高电平。其他的都是常规信号线，如时钟线，行选通，列选通，地址线，数据线，写使能等。
既然说到了信号线，就来顺便看一下SDRAM芯片内部的结构框图：
下面稍微解释一下这个结构框图
1、逻辑控制
SDRAM内部的“控制逻辑”指挥着整个系统的运行，外部通过CS、WE、CAS、RAS以及地址线来向控制逻辑输入命令，命令经过“命令译码器”译码，并将控制参数保存到“模式寄存器”中，控制逻辑依此运行。
2、地址控制
SDRAM包含有“A”以及“BA”两类地址线，A类地址线是行和列共用的地址线，BA地址线是独立的用于指定SDRAM内部存储矩阵号的。在命令模式下，A类地址线还用于输入某些命令参数
3、SDARM的存储阵列
SDRAM内部包含的存储矩阵，可以把它理解为一张表格，数据就填在这张表格上。和表格查找一样，指定一个行地址和列地址，就能精确的找到目标单元格。这样的每个单元格被成为存储单元，而这样的表被成为存储阵列。目前设计的SDRAM芯片基本上内部包含有4个这样的Bank，寻址时指定Bank号及行地址，然后再指定列地址即可寻找到目标存储单元。
SDRAM内部具有多个Bank的结构见下图：
SDRAM芯片向外部提供有独立的BA类地址线用于Bank寻址，而行与列则共用A类地址线。
通讯时，当RAS线为低电平，则“行地址选通器”被选通，地址线A[11:0]表示的地址会被输入到“行地址译码及锁存器”中，作为存储阵列中选定的行地址。
同时，地址线BA[1:0]表示的Bank也被锁存，选中了要被操作的Bank号；
接着控制CAS线为低电平，“列地址选通器”被选通，地址线A[11:0]表示的地址会被锁存到“列地址译码器”中作为列地址，完成寻址过程。