三种元件的特性比较
参考：https://www.elecfans.com/d/701446.html，http://www.eepw.com.cn/zhuanlan/268452.html
MOSFET一般简称MOS管：由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
元件的特性
从上面可以看出，三极管耐压好，通断频率差；MOS管控制电压小，允许电流大，而IGBT算是前两种元件的组合体
参考：https://zhuanlan.zhihu.com/p/526852012，https://zhuanlan.zhihu.com/p/558309110，https://zhuanlan.zhihu.com/p/465785715,https://www.elecfans.com/yuanqijian/sanjiguang/20180815730054.html
三极管表示符号如下图，
下面IGBT的结构图可以看作是两个三极管组合，
下面是IGBT简单的等效电路，但发射极E和集电极C指的并不是三极管的，而是指的整个IGBT的
下面是简单等效电路和内部结构的对照，
导通分析
电力晶体管（Giant Transistor—GTR，直译为巨型晶体管）耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar JuncTIon Transistor—BJT），英文有时候也称为Power BJT在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效应用20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和功率MOSFET取代。这里的控制部分G可以理解为使用了这种原理。
下图所示，导通需要两个条件：1，C极的高电势将P+的空穴排斥向n-，就像二极管外加正电压，使得阻抗减小；2，栅极G的电压使得该极附近的正电荷被排斥，也可以理解为负电荷吸引，这样形成了N沟道通路，这和MOS管的功能很像，但不同的是这里源极没有和衬底相连，没有寄生二极管的出现。
