SDRAM(3):刷新和仲裁

  初始化完成后,我们就可以对 SDRAM 进行其他的操作了,首先需要设计的是仲裁模块。

一、SDRAM刷新

  关于 SDRAM 刷新,数据手册是这样说的:

  解读一下:

  ① SDRAM 必须在 64ms 内需要刷新 4096 次,SDRAM 需要不断的刷新,来保证其内部的电量来达到保存数据不丢失的作用,SDRAM 内部的电容能保持电量的最长时间是 64ms,即SDRAM保存数据不丢失的时间是 64ms。

  ② SDRAM刷新是所有 Bank 同时一行一行的刷新,SDRAM 内部有行计数器,在刷新完第0行时,会自动计数到第1行。假如0时刻刷新完第0行,那到第二次刷新第0行时要求在64ms里,而我们的行地址有12根地址线A11-A0:12‘b1111_1111_1111 = 4095,共4096行,即在64ms里面需要把4096行刷新。

  ③ 两次刷新之间的间隔是 64000us/4096 = 15.625us,本次设计取 15us。

二、SDRAM仲裁

  刷新、写、读三个操作之间是靠仲裁实现的

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转载自www.cnblogs.com/xianyufpga/p/12235563.html
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