功率MOSFET和双极性功率晶体管相比，最大的优势是：
高阻抗，热稳定性；
因为MOSFET没有二次击穿，因为MOS耗散电流的负温度系数完全阻止了这些结面过热点的产生；
电源开关示例与注意事项：
我们通常用数字逻辑的输出来控制功率MOSFET；虽然有10V或者更高的电压范围变化的逻辑家族，
但是最常见的逻辑家族适用+5V电平（高速CMOS）或者+2.4V（TTL）。
+10V栅极激励可以完全接通任何MOSFET，因此选择了VN0106, 这是个廉价的，而且规定Vgs=5V时Ron<5Ω的晶体管；
二极管保护阻止感应尖峰出现。（因为V=LdI/dt，突然断开电感的开关，就会有一个无限大的电压加在电感两端。控制感性负载的电子元件容易损坏，解决方法就是在电感两端接一个二极管，消耗掉稳态电流。）
串联栅极电阻虽然不是必须的，但是一个好的解决方法，因为MOSFET的漏极-栅极电容会将负载的感性暂态耦合到精密的CMOS逻辑中。
该电路有5V的栅极驱动，适合VN01/VP01系列，
这里用的是P沟道MOSFET驱动返回到地的负载。
最后两种给出的是TTL数字逻辑输出+2.4V（这是最坏的情况，通常为+3.5V左右）高电平的方法：
用一个上拉到+5V的电阻从TTL输出端产生一个+5V范围内的变化。这样便可以驱动一个一般的MOSFET；
或者可以用类似于TN0106的器件，这是一个为逻辑电平驱动设计的“低门限”MOSFET。
其他注意事项：
1. 漏极和源极有一个有效的二极管
所以，不能双向使用功率MOSFET，或者反向漏源电压不能多于一个二极管压降。
例如不能用一个功率MOSFET将一个双极性信号激励的积分电路调整到零，并且不能讲功率MOSFET用做双极性信号的模拟开关；
2.击穿电压 GS通常是±20V，击穿电压DS击穿电压20-1000V，
所以可以用小幅度变化的数字逻辑来驱动栅极，
但是不能用一个MOSFET的漏极幅度变化范围驱动另外一个MOSFET的栅极。
3.栅极保护
MOSFET会被一次栅极击穿而不可逆转的损坏；
所以用1-10kΩ的栅极串联电阻。
栅极必须不能悬空。悬空状态下没有静电释放的路径更容易损坏；
将任何一个外部信号源激励栅极的MOSFET的源极S和栅极G之间用一个下拉电阻100kΩ-1MΩ连接起来。
MOSFET与BJT作为大电流开关时的比较：
1）同样性能MOSFET比传统功率BJT贵一点，但是更容易驱动，并且不容易出现二次击穿；
2）漏极低电压状态，接通的MOSFET像小电阻，而不像是一个饱和的双极性晶体管；
3）低电流下，MOSFET比小信号NPN BJT性能差；
4）电流10-50A，0-100v范围内，MOSFET表现更好；
BJT需要大量的B基极电流；
5）功率MOSFET可以在线性功率电路中代替BJT，例如音频放大器和稳压器。
