通过MOSFET来控制子路直流电源开关
这里用的是一个P沟道MOSFET；就是PMOS；
他由5V对地逻辑电压信号接通；
在大电流下控制负载；
该负载需要+12V的直流电源供电；可能是一个无线发射机或者别的什么设备。
由于只能用5V的逻辑变化范围，所以用一个小的NMOS来产生12V的变化范围，接着用他来驱动PMOS栅极；
注意这个高值NMOS漏极电阻在此是足够的，因为PMOS栅极不吸取直流电流（甚至于对一个10A大的PMOS），并且在这种类型的应用中不需要高转换速率的开关。
这电路是上个电路的改进版；
他能通过PNP晶体管限制短路电流；
如果电路要在更高的电源电压下工作，那么MOSFET受栅极击穿电压通常为±20V限制就会产生实际的问题；
此时可以将100KΩ电阻换成10kΩ电阻，允许运行电压高达40V，或者采用其他的合适的阻值比例，保持VP12栅极激励低于20V；
灯控功率开关
光敏电阻在阳光下为低电阻，在黑暗中为高电阻。
光敏电阻和设置门限构成分压电路，直接驱动栅极。
当栅极电压达到门限，NMOS导通，灯点亮；
B图是改进版的电路图
MOSFET压电电源驱动
电路分析：
一个200W的放大器在200KHz时驱动一个压电水下传感器；
一对重要的NMOS晶体管，他们被交替激励，以产生在高频变压器初级的交流激励；
由于FET必须在1us内完全开启，因此需要一个带有小栅极电阻的双极性推挽式栅极驱动器，以克服容性负载。
BUZ50B是一个便宜的MOSFET，在1KV和2A的情形下性能良好；
第一个晶体管是共源反相放大器，驱动一个源极跟随器；
NPN晶体管是一个限流器并且可以是一个低电压单元，因为其输出端悬空。
这电路实际上是推挽式，虽然看上去是单端：
需要用在2V/uS（2V/微秒）的速率下用大量的电流来驱动10000pf的电容；
输出晶体管可以提供电流，但是下拉电阻不足以消耗他们。
这个电路中激励晶体管通过栅-源二极管反偏下拉。该电路其余部分涉及反馈（采用运算放大器）。
实际上反馈的巨大功能让整个电路呈线性（每伏输入有100V输出）。如果没有它，输出电压只会依赖于输入晶体管的ID关于VGS的特性（非线性）。
