1、前言
DDR的全称为Double Data Rate SDRAM，也就是双倍速率的SDRAM，SDRAM在一个CLK周期传输一次数据，而DDR在一个CLK周期传输两次数据，分别在上升沿和下降沿各传输一次数据，该概念称为预取，在描述DDR速度的时候一般使用MT/s单位，也就是每秒多少兆次数据传输。
2、DDR结构框图
接下来将以Micro的DDR3L芯片MT41K256M16进行结构框图的介绍，该芯片是一款512MB的DDR3L内存芯片，框图如下所示：
接下来对上面给出的框架图各个标号进行简单介绍：
（1）控制线
ODT：片上终端使能，ODT使能和禁止片内终端电阻；
ZQ：输出驱动较准的外部参考引脚，应外接一个RZQ电阻到VSSQ，一般接到地；
RESET：芯片复位引脚，低电平有效；
CKE：时钟使能引脚；
A12：A12为地址引脚，也叫做BC引脚，有另外一个功能，A12会在READ和WRITE命令期间被采样，以决定burst chop是否会被执行；
CK,CK#：时钟信号线，DDR3的时钟线是差分时钟线，所以的控制信号和地址信号都会在CK的上升沿和CK#的下降沿交叉处采集；
CS#：片选信号，低电平有效；
RAS#：行地址选通信号；
CAS#：列地址选通信号；
WE#：写使能信号。
（2）地址线
A[14:0]：
（3）Bank选择线
BA[2:0]：
（4）Bank区域
（5）数据线
DQ[15:0]：
（6）数据选通引脚
LDQS,LDQS#：
UDQS,UDQS#：
（7）数据输入屏蔽引脚
LDM/UDM：