单相全桥逆变电路及有关信号波形如图
3-20所示，
VT1、
VT4组成一对桥臂，
VT2、
VT3组成另一对桥臂，
VD1～
VD4为续流二极管，
VT1、
VT2基极加有一对相反的控制脉冲，
VT3、
VT4基极的控制脉冲相位也相反，
VT3基极的控制脉冲相位落后
VT1θ角
(0°
<θ
< 180°
)。
图
3-20 单相全桥逆变电路及有关信号波形
电路工作过程如下。
在
0～
t1期间，
VT1、
VT4的基极控制脉冲都为高电平，
VT1、
VT4都导通，
A点通过
VT1与
Ud正端连接，
B点通过
VT4与
Ud负端连接，故
R、
L两端的电压
Uo大小与
Ud相等，极性为左正右负（为正压），流过
R、
L电流的方向是：
Ud+→
VT1→
R、
L→
VT4→
Ud-。
在
t1～
t2期间，
VT1的
Ub1为高电平，
VT4的
Ub4为低电平，
VT1导通，
VT4关断，流过
L的电流突然变小，
L马上产生左负右正的电动势，该电动势通过
VD3形成电流回路，电流途径是：
L右正→
VD3→
VT1→
R→
L左负，该电流方向仍是由左往右。由于
VT1、
VD3都导通，
A点和
B点都与
Ud正端连接，即
UA= UB，
R、
L两端的电压
Uo为
0（
Uo=UA-UB）。在此期间，
VT3的
Ub3也为高电平，但因
VD3的导通使
VT3的
c、
e极电压相等，
VT3无法导通。
在
t2～
t3期间，
VT2、
VT3的基极控制脉冲都为高电平，在此期间开始一段时间内，
L还未能完全释放能量，还有左负右正电动势，但
VT1因基极变为低电平而截止，
L的电动势转而经
VD3、
VD2对直流侧电容
C充电，充电电流途径是：
L右正→
VD3→
C→
VD2→
R→
L左负，
VD3、
VD2的导通使
VT2、
VT3不能导通，
A点通过
VD2与
Ud负端连接，
B点通过
VD3与
Ud正端连接，故
R、
L两端的电压
Uo大小与
Ud相等，极性为左负右正（为负压），当
L上的电动势下降到与
Ud相等时，无法继续对
C充电，
VD3、
VD2截止，
VT2、
VT3马上导通，有电流流过
R、
L，电流的方向是：
Ud+→
VT3→
L、
R→
VT2→
Ud-。
在
t3～
t4期间，
VT2的
Ub2为高电平，
VT3的
Ub3为低电平，
VT2导通，
VT3关断，流过
L的电流突然变小，
L马上产生左正右负的电动势，该电动势通过
VD4形成电流回路，电流途径是：
L左正→
R→
VT2→
VD4→
L右负，该电流方向是由右往左。由于
VT2、
VD4都导通，
A点和
B点都与
Ud负端连接，即
UA=UB，
R、
L两端的电压
Uo为
0（
Uo= UA-UB）。在此期间，
VT4的
Ub4也为高电平，但因
VD4的导通使
VT4的
c、
e极电压相等，
VT4无法导通。
t4时刻以后，电路重复上述工作过程。
单相全桥逆变电路的
Ub1、
Ub3脉冲和
Ub2、
Ub4脉冲之间的相位差为θ，改变θ值，就能调节负载
R、
L两端电压
Uo脉冲宽度（正、负宽度同时变化）。另外，单相全桥逆变电路负载两端的电压幅度是单相半桥逆变电路的
2倍。
单相桥式PWM逆变电路结合IGBT单相桥式电压型逆变电路对调制法进行说明工作时V1和V2通断互补，V3和V4通断也互补。以uo正半周为例，V1通，V2断，V3和V4交替通断。负载电流比电压滞后，在电压正半周，电流有一段区间为正，一段区间为负。负载电流为正的区间，V1和V4导通时，uo等于Ud。V4关断时，负载电流通过V1和VD3续流，uo=0负载电流为负的区间，V1和V4仍导通，io为负，实际上io从VD1和VD4流过，仍有uo=Ud。V4关断V3开通后，io从V3
单相桥式PWM逆变电路
结合IGBT单相桥式电压型逆变电路对调制法进行说明
工作时V1和V2通断互补，V3和V4通断也互补。
以uo正半周为例，V1通，V2断，V3和V4交替通断。
负载电流比电压滞后，在电压正半周，电流有一段区间为正，一段区间为负。
负载电流为正的区间，V1和V4导通时，uo等于Ud 。
V4关断时，负载电流通过V1和VD3续流，uo=0
负载电流为负的区间， V1和V4仍导通，io为负，实际上io从VD1和VD4流过，仍有uo=Ud 。
V4关断V3开通后，io从V3和VD1续流，uo=0。
uo总可得到Ud和零两种电平。
uo负半周，让V2保持通，V1保持断，V3和V4交替通断，uo可得-Ud和零两种电平。
参考：http://www.aitmy.com/news/201512/11/news_106737.html
http://www.aitmy.com/news/201512/11/news_106736.html