SRAM：静态随机存储器，不需要刷新电路，这使得静态RAM比动态的RAM要快的多，但是，由于他所含的器件较多，集成度较低，不适合做大容量的内存，一般用在处理器的缓存里面，SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保证数据完整性，SRAM的电路结构非常复杂，制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多，正因如此，才使其发展受到了限制，在S3C2440片内，有16KB的instruction cache（指令缓存）16KB的data cache（数据缓存）和4KB的boot internal SRAM，但是我们能使用的只有4KB的boot internal SRAM，这4KB的SRAM是从nandflash启动的时候用来加载uboot的。
DRAM：动态随机存储器，每隔一段时间就要刷新一次数据，才能保证数据不丢失，SDRAM：同步动态随机存储器，也就是通常所说的内存，内存是代码的执行空间，用来执行程序，同步是指数据的读写需要时钟来同步，DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。
SDRAM（synchronous dram同步动态随机存储器）：一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM，电脑的内存也是用的这种RAM叫DDR SDRAM，在mini2440开发板中，S3C2440的外部接了两个32MB的SDRAM，这就是内存。注意不是在芯片的内部，而是在芯片的外部。
缓冲存储器 ：缓存是在芯片内部，内存在芯片的外部。缓存就是数据交换的缓冲区，当某一硬件要读取数据时，会首先从缓存中查找需要的数据，如果找到了则直接执行，找不到的话则从内存中找，由于缓存的存储速度比内存快的多，故缓存的作用就是帮助硬件更快的运行，电脑里最快的缓存是CPU里面镶嵌的L1和L2缓存，显卡的显存是给显卡运算芯片用的缓存，硬盘上也有16M或32M的缓存。缓存只是内存中少部分数据的复制品，所以CPU到缓存中寻找数据时，也会出现找不到的情况，这时CPU还是回到内存中去寻找数据，这样系统的速率就慢下来了，不过CPU还是会吧这些数据复制到缓存当中去，以便下一次不要再到内存中去取。
EEPROM（electric erasable eprom）电可擦除可编程只读存储器
FLASH（flash eeprom）： 即可擦除又可快速读取数据,又称闪存，u盘和mp3，bootloader存储器,替代了eeprom。flash属于广义的EEPROM，由于它也是电擦除的rom。可是为了差别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM。我们都叫它flash。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位。flash分为nor flash和nand flash。norflash数据线和地址线分开，能够实现ram一样的随机寻址功能，能够读取不论什么一个字节。可是擦除仍要按块来擦。nandflash相同是按块擦除，可是数据线和地址线复用。不能利用地址线随机寻址。读取仅仅能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读。norflash没有页）
NORFLASH:其最大的特点是norflash里面的程序可以直接运行，不必再把代码读到系统的RAM中，mini2440开发板是2M的norflash，有自己的地址线和数据线，能够採用类似于memory的随机訪问方式。在norflash上能够直接执行程序，所以norflash能够直接用来做boot。
norflash（nor falsh）内部有sram，属于nvram，传输速度高、可直接运行应用程序，可以不用传到ram上运行，写入和擦除速度低，擦除前需要置零，读取nor比nand快一些，容量没nand大适合做代码存储并EIP的，nandflash适合用来作大量数据存储的。
norflash的读取速度比nandflash稍快，但擦写速度比nandflash慢非常多。
Nandflash：存储密度大，擦除简单，擦除和写入比nor快很多，但需要特殊的系统接口单元。类似电脑的硬盘，CPU从里面读取数据的速度很慢，他里面的代码也不能直接运行，要想运行需要把nandflash里面的数据读到内存里面，然后CPU才能执行，但是他的集成度很高，成本很低。属于IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，须要软件区控制读取时序，所以不能像nor flash、内存一样随机訪问，不能EIP（片上执行）。因此不能直接作为boot。
EMMC： nandflash + 主控ic+mmc卡 便于开发
S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动，由于在S3C2440里有一个内置的SRAM。叫做stepping stone(垫脚石，非常形象…)。系统启动加电后，会把nandflash上的起始4KB的内容复制到SRAM里运行，这样就实现了从nandflash启动。