norflash：norfalsh是非易失存储器（失去电源供电后norflash里存储的数据依然存在），NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地读取其内部的每一个字节（注意是读取！对于flash不是随意可以写入，一般写入NOR flash流程是：解保护->擦除->写入数据。由于flash特性只能从1翻转到0，无法从0翻转到1。擦除过程就是将flash中的某一个扇区全写0xFFFFFFF，再写入数据），代码指令可以直接在norflash上运行。（重要！ 上电后可以读取norfalsh中的数据 写操作无法直接进行 前面我已经说得很清楚了）
SRAM：静态随机访问存储器（Static Random Access Memory）它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。 （重要！上电后就可以读写SRAM中的数据，无需初始化操作）
SDRAM：同步动态随机存取存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory）需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。（重要！ 需要对ddr控制器进行初始化<配置寄存器>，才能去读写SDRAM中的数据）