eeprom在平常中用得还是挺多的，对于存储系统的少量参数，且速度要求也不是很高的，还是很实用的。eeprom我在老早之前就用过了，最近在整理笔记，正好可以再熟悉一下。
链接：https://pan.baidu.com/s/1JvuCN7iKI4Bq9E0tkQE_KA 提取码：vq5h
先肯定是得看看芯片的手册，上面有百度网盘的下载链接地址。
接下来讲讲芯片功能：
1． 芯片容量为64k,256页，8192个地址，65536bit；
2． 2线串行接口总线，兼容I2C；
3． 兼容100kHz和400kHz两种传输速率；
4． 3个地址管脚，最多支持8个器件连接到同一条总线上；
5． 擦写次数可达1,000,000次；
6． 自定时擦写周期；
7． 最大5ms的页写时间；
8． 32字节页写缓存；
9． 支持硬件写保护
字节写操作
字节写操作从主器件的起始位开始， 4 位控制码紧随其后。接下来的 3 位是存储块寻址位。然后主发送器将 R/W 位（该位为逻辑低电平）发送到总线。从器件在第九个时钟周期产生一个确认位。主器件发送的第二个字节是高位地址字节，在高位地址字节之后传送的是低位地址字节。24LC64 器件会对每一个地址字节作出确认，并把地址位锁存进器件内部的地址计数器。
送出地址字节后， 24LC64器件发出确认信号 ACK。主器件在接收到该确认信号后即发送数据字，该数据字将被写入已寻址的存储器位置。 24LC64器件再次发出确认信号，之后主器件产生停止条件，启动内部写周期。如果在 WP 引脚保持高电平时进行存储器写操作，器件会确认命令，但不会启动写周期，也不会写入数据，而会立即接受新的命令。单字节写时，在发送写命令后，内部地址计数器增加，指向下一个要寻址的位置。写周期期间，24LC64不会对命令进行确认。
页写操作
页写操作的控制字节、地址字节和首个数据字节与单字节写操作是相同的发送方式，不同的是主器件连续发送数据字节能达到一整页（32字节），这些数据字节临时存储在片内页缓冲器中。在主器件发送停止条件之后，这些数据将被写入存储器。每接收一个字，内部地址计数器加一。如果在停止条件产生前，主器件有超出一页的数据要发送，地址计数器将会翻转，先前写入的数据将被覆盖。对于字节写操作，一旦接收到停止条件，内部写周期开始。在写周期期间， 24LC64 器件不会对命令作出确认。页写入操作在一页内可以写入任意个数据（ 最多为一页），并且可以在此页中的任意地址开始写入。被寻址的数据只能在该页内变动。如果在 WP 引脚保持高电平时进行存储器写操作，器件会确认命令，但不会启动写周期，也不会写入数据，而是立即接受新的命令
随机读操作
随机读操作允许主器件以随机方式访问任意存储器。执行该指令前必须先设置地址字节。作为写操作的一部分，通过发送字节地址给 24LC64 来完成地址字节的设置（R/W 设置为 0）。字节地址发送完后，主器件接收到确认信号即产生起始条件。内部地址计数器设置完之后写操作即被终止。主器件再次发送控制字节，此次该字节中 R/W 位设置为1。之后24LC64 会发出确认信号， 并发送 8 位数据字节。主器件不会对数据传输作出确认，但会产生停止条件，24LC64 即停止数据发送。在随机读取命令之后，内部地址计数器加1指向下一条地址。
连续读操作
连续读操作的起始过程和随机读操作相同，只是在芯片发送完第一个数据字节后，主器件发出确认信号，而在随机读操作中发送的是停止条件。确认信号指示24LC64 器件发送下一个连续地址的数据字节。在24LC64器件向主器件发送完后最后一个字节后，主器件不会产生确认信号，而是产生停止条件。为了可以进行连续读操作，24LC64器件内置了一个地址指针，在每次操作完成后该指针加1。地址指针允许一次操作连续读取整个存储器的内容。在达到最后一个地址字节后，地址指针将翻转到地址 0x00
对于EEPROM的驱动，我建议是采用页写操作，这样可以节省不少的时间，读可以采用连续读。每个公司都有自己的存储类驱动的封装接口，一般来说驱动的读操作和写操作都得加入fifo对数据做缓存，我自己写了一个24lc64的仿真slave模型文件，可以放在你们自己写得代码里面去仿真做参考。
对于EEPROM来说只要会写I2C时序，应该都不难，I2C总线地址长度和数据长度在不同的情况下都不是一样的，有8、16、24宽度等等，有很多的新片的配置也都是I2C来进行的配置，我们不可能每写一个驱动就写一个新的I2C驱动，这样费时费力，所有我的建议是将I2C写成一个CBB，适用与各种情况，地址和数据不管是8、16、24还是多少（8的倍数），直接通过参数配置就可以实现I2C协议数据的读写。