FRAM铁电存储器的工作原理：
FeRAM使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，使得它也拥有非挥发性内存的功能。它以铁电物质为原材料，将微小的铁电晶体集成进电容内，通过施加电场
，铁电晶体的电极在两个稳定的状态之间转换，实现数据的写入与读取。每个方向都是稳定的，即使在电场撤除后仍然保持不变，因此能将数据保存在存储扇区而无
需定期更新。FeRAM的写入次数可以高达1014次和10年的数据保存能力。在重写某个存储单元之前，FeRAM不必擦拭整个扇区，因此数据读写速度也略胜一筹。此外，
FeRAM的低工作电压能够降低功耗，这对移动设备来讲是很重要的。
下面的图表解释了PZT晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定，即使在出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的形式存储。
- 当加置电场时就会产生极化。（锆/钛离子在晶体中向上或向下移动）
- 即使在不加置电场的情况下，也能保持电极。
- 两个稳定的状态以“0”或“1”的形式存储。
原文链接：http://www.chinastor.com/baike/memory/121T00042018.html
MRAM磁性存储器的工作原理：
Everspin 的专利MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层(fixed layer)，和一个通过隧道结(tunnel barrier)与其隔离的自由层(free layer)。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。当流经两金属线的电流足以切换MTJ的磁场时，在两金属线交点的MTJ就会被极化(写入)。此过程能以SRAM的速度完成。
MRAM与FRAM的对比分析
| 属性 | MRAM | FRAM |
| 读 | 无破坏性 | 有破坏性 |
| 可扩展性 | 是的 | 受到结构限制 |
| 读写耐 | 无限次 | 10的14次方 |
| 印记/保留 | 无 | 随着温度和操作电压的减小 而增加 |
| 铅 | 无 | 设备中的有效物质 |
| 读写时间 | 35ns | 55ns |
| 周期 | 35ns | 140ns-350ns |
| 高温下数据保存 | 20年（在125℃时） | 85℃以上时迅速降低 |
| 温度特性 | -40℃到125℃ | -20℃到85℃ |