关于SRAM、DRAM、SDRAM等这样的词条，比较容易混淆，通过查找资料做个总结。
首先看下面这张图：
RAM（random access memory）随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
一、根据工作原理的不同，随机存储器又分为DRAM（Dynamic Random Access Memory)和SRAM（Static Random Access Memory)。
DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据
存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。
SRAM 表示静态态随机存取存储器。 因此只要供电它就会保持一个值。一般而言，SRAM 比DRAM要快，这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言，DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理，可以断定在给定的固
定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。
SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；而DRAM常常用于PC中的主存储器，因为其拥有更高的密度。
具体解释一：
什么是DRAM
DRAM 的英文全称是’Dynamic RAM’，翻译成中文就是’动态随机存储器’。DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。
什么是SRAM
SRAM 的英文全称是’Static RAM’，翻译成中文就是’静态随机存储器’。SRAM主要用于制造Cache。
什么是SDRAM
SDRAM 的英文全称是’Synchronous DRAM’，翻译成中文就是’扩充数据输出内存’，它比一般DRAM和EDO RAM速度都快，它已经逐渐成为PC机的标准内存配置。
另一种解释：
DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。 而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步
二、在计算机市场上DRAM又可以分为SDRAM(Synchronous DRAM)、DDR SDRAM(Dual Data Rate SDRAM)和RDRAM(Rambus DRAM)这几类
这是计算机内存市场上对内存的分类方式，这些内存都属于上面提到的DRAM。
SDRAM中文名字是“同步动态随机存储器”，意思是指理论上其速度可达到与CPU同步。通俗点讲就是我们常说的内存条，自从Pentium时代以来，SDRAM就开始了其不可动摇的霸主地位。这种主体结构一直延续至今。成为市场上无可争议的内存名称的代名词。台式机使用的SDRAM一般为168线的管脚接口，具有64bit的带宽，工作电压为3.3伏，目前最快的内存模块为5.5纳秒。由于其最初的标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式，因此，基本上消除了等待时间，提高了系统整体性能。大家都知道CPU的核心频率＝系统外部频率×倍频的方式。而内存就是工作在系统的外部频率下，最初的66MHz的外部工作频率严重地影响了系统整体的工作性能，芯片组厂商又陆续制订出100MHz、133MHz系统外频的工作标准。这样SDRAM内存也就有了66MHz（PC66）、100MHz（PC100）和133MHz（PC133）三种标准规格。某些内存厂商为了满足一些超频爱好者的需求还推出了PC150和PC166内存，例如Kingmax和Micro等。
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本，DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。
目前DDR已经发展到DDR3的时代，现在我们所购买的pc机大部分都采用的是DDR3 SDRAM内存条。DDR2 SDRAM（Double Data Rate 2 SDRAM）是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR SDRAM内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR3 SDRAM相比起DDR2 SDRAM有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3最高能够1600Mhz的速度，由于最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
RDRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向，其技术引入了RISC（精简指令集），依*高时钟频率（目前有300MHz、350MHz和400MHz三种规格）来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit（由两条8bit的数据通道组成），远低于SDRAM的64bit，由于RDRAM也是采用类似于DDR的双速率传输结构，同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输，因此在300MHz下的数据传输量可以达到300×16bit/8×2=1.2GB/s，400MHz时可达到1.6GB/s，目前主流的双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，确实很有吸引力。由于这种内存是全新的结构体系，需要兴建专用的内存生产线才能进行大批量生产，基本上无法对原有的生产线进行改建，这样初期产品的成本肯定是难以与DDR进行竞争，而且生产这种内存还必须按产量向Rambus公司交纳一定的专利金，让各厂商缠足不前，在一定程度阻碍了RDRAM的发展，不过更高带宽的双通道RDRAM不久将会出现。Rambus公司已经推出世界上第一条运行在1200MHz频率上的RDRAM，内存的峰值带宽将达到4.8GHz/s。除此之外，Rambus还将推出一款运行在1066MHz下的RDRAM，它们的设计和制造工艺和从前的Rambus内存区别不是很大。
三、按CPU每个机器周期能对内存进行访问的次数SRAM又被分为SARAM(Single-access RAM)和DARAM(Dual-access RAM)两种内存。
SARAM在一个机器周期内只能被访问一次，而DARAM则在一个机器周期内能被访问两次。如TMS320C54x系列DSP中就配置有这两种内存
