二极管的结构
二极管按其结构可分为点接触型、面接触型和平面型。
二极管的V-I特性
二极管的电流与其端电压的关系i =f (u )称为伏安特性。
- 当外加正向电压很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小几乎为零。这一区域称之为死区
开启电压硅Si 0.5V 锗Ge 0.1V
- 外加正向电压超过死区电压时，内电场大大削弱，正向电流迅速增长，二极管进入正向导通区。电压再继续增加时，电流迅速增大，而二极管端电压却几乎不变，此时二极管端电压称为导通压降。
导通压降 硅Si 0.5 ~ 0.8V（0.7V）锗Ge 0.1~0.3V
- 在二极管两端加反向电压时，将有很小的、由少子漂移运动形成的反向饱和电流（Is）通过二极管。
★随温度的上升增长很快
★在反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本恒定
反向饱和电流硅 Si 1µA以下 锗Ge 几十µA - 外加反向电压超过反向击穿电压UBR时，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，进入反向击穿区。
★电击穿（可逆）
雪崩击穿（掺杂浓度低）
齐纳击穿（掺杂浓度高）
★热击穿（不可逆）
二极管的主要参数
正确使用二极管的依据
最大整流电流IF ——管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。
如：2AP1： IF =16mA
反向击穿电压VBR ——管子反向击穿时的电压值。
如：2AP1：VBR≥40V，手册上给出的最高反向工作电压只有20V。
反向电流IR ——管子未击穿时的反向电流。其值愈小，则管子的单向导电性愈好。当温度增加时，IR会急剧增加。一般硅管的反向电流比锗管的小很多，所以工程上硅二极管应用较普遍。
二极管V-I特性的建模
