NAND flash和NOR flash的区别

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FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通过程序可以修改其中的数据,即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash。U盘和MP3里用的就是这种存储器。

NAND flash、NOR flash比较

  1. 多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些;NAND则是数据存储密度的理想解决方案。

  2. NOR Flash 的读取 SDRAM 的读取一样,用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码,这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。
    NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以的形式来进行的, 通常是一次读取 512 个字节,采用这种技术的 Flash 比较廉价。

  3. 用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码,因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外,还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码

  4. NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。
    Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储。

  5. 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持;
    在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

  6. NOR flash带有SRAM**接口**,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
    NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。



 1. SRAM(Static Random Access Memory)//静态随机存储器
 2. Flash (Flash EEPROM Memory) //闪存
 3. SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)
//同步动态随机存储器
//之所以是DRAM,是因为其每隔一段时间(64ms)就要刷新(refresh)一次。

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