SLC、MLC、TLC 比较

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        NAND闪存的类型有SLC、MLC和TLC这三种,SLC不论性能还是可靠性都是都是最好的,但成本也是最高的;MLC闪存性能、可靠性次之,它的性能、可靠性与成本上是相当均衡的,是目前的绝对主力;TLC则是在2012年之后三星才把它带入SSD市场的,之前主要是用在U盘以及存储卡上面,在三星先行了两年之后今年其他厂商终于跟上了,大量的TLC SSD开始推向市场。


SLC = Single-Level Cell,即1 bit per cell,只存在0和1两个充电值,结构简单但是执行效率高。SLC闪存的优点是传输速度更快,功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而,由于每个存储单元包含的信息较少,其每百万字节需花费较高的成本来生产,由于成本过高你基本上只会在高端的企业级SSD上见到它,流入到消费级平台上的基本都是非原封的。

MLC = Multi-Level Cell,即2 bit per cell,有00,01,10,11四个充电值,因此需要比SLC更多的访问时间,不过每个单元可以存放比SLC多一倍的数据。MLC闪存可降低生产成本,但与SLC相比其传输速度较慢,现在大多数消费级SSD都是使用MLC做的。

TLC = Trinary-Level Cell,即3 bit per cell,每个单元可以存放比MLC多1/2的数据,共八个充电值,所需访问时间更长,因此传输速度更慢。TLC优势价格便宜,每百万字节生产成本是最低的,但是寿命短,通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。

三者比较:

        从结果上来看,各种闪存的物理结构是相同的,但是控制上一个比一个复杂,SLC每个Cell能储存1个数据,有两种电位变化,MLC每个Cell能储存2个数据,有四种电位变化,TLC每个Cell可以储存3个数据,有8种电位变化,MLC和TLC每个Cell单元中有多个信号,是通过控制不同的电压来实现的,施加不同的电压就会有更多的电位变化,NAND闪存单元就可以容纳不同的信号组合。

       简单地说SLC的性能最优,价格超高。一般用作企业级或高端发烧友。MLC性能够用,价格适中为消费级SSD应用主流,TLC综合性能最低,价格最便宜。但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能。

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