MT6139射频处理器工作原理图/芯片主要功能介绍

Receiver

接收机包括四波段低噪声放大器(LNAs)、射频正交混频器、片上信道滤波器、可编程增益放大器(PGA)和直流偏置校准(DCOC)环路.加法一次工厂AM校准程序提前,MT 6139的IIP 2可以达到至少50 dBm的所有波段。完全集成的通道滤波器可以消除干扰,阻塞信号,不需要任何外部组件。

MT6139包括GSM 850(869 MHz-894 MHz)、GSM 900(925 MHz)四种差分LNAs-960 MHz)、DCS 1800(1805 MHz-1880 MHz)和PCS 1900(1930 MHz-1990 MHz)。差分输入与使用LC网络的200声表面波滤波器相匹配。对于37 dB的动态范围控制,LNAs的增益可以控制在高或低的范围内。跟随LN就像正交射频混频器一样,向下转换射频信号到中频.射频混频器的输出不需要外部元件。

然后,通过信道滤波器和PGA对中频信号进行滤波和放大。为了控制接收机的增益,在滤波级之间实现多级PGA.2分贝增益PS,60分贝的PGA动态范围确保了一个适当的信号电平基带(BB)设置要求。

Transmitter

发射机由BB I/Q滤波器、I/Q调制器、分频器和缓冲放大器组成。BB I/Q信号被输入RC低通滤波器以降低带外噪声。I/Q调制器负责将BB I/Q信号转换为TX输出频率。为了避免拉扯问题,TX载波是通过将本振(LO)频率从合成器中分离而产生的。分频器由2分频和4分频两部分组成。GSM 850/GSM 900和DCS 1800/PCS 1900应用电路。采用缓冲放大器将I/Q调制器输出信号放大到适当的电平,以满足PA输入功率的要求。

RF Frequency Synthesizer 

合成器系统描述

MT6139包括具有完全集成RFVCO的单个RF合成器,以产生用于Rx和TX的本地振荡器信号。锁相环将RFVCO锁定在26 MHz的精确参考频率上。为了减少分数-N合成器产生的固有杂散,采用具有抖动函数的三阶σ-δ调制器产生预分频器的除数N。

预分频器由2除法器和多模除法器组成,可编程分频器数目从32到127不等。一种传统的带电荷泵的数字pfd是u。用于锁相环相位比较的SED。通过改变电荷泵的输出电流,可以将鉴相器增益从50/2πA/rad编程到400/2πA/rad。

为了减少采集时间或为gprs等多时隙数据业务提供快速解决时间,我们在系统中实现了一个数字环路(校准环路)和一个快速采集系统。射频合成器。在射频合成器编程期间,通过数字校准环路将RFVCO预置到所需频率附近。校准后,使用一段时间的快速捕获系统,以便于快速锁定.一旦采集完成,锁相环将恢复正常工作模式。

Rx模式下的频率合成器程序设计

用于rx模式的射频合成器的频率范围是

并可按以下步骤确定除数

TX模式下的频率合成器程序设计

用于tx模式的射频合成器的频率范围是

并可按以下步骤确定除数N。

数字校准回路

MT6139采用数字校准技术来减少PLL的稳定时间。一旦射频合成器通过三线串行接口编程,校准回路就被激活.

校准回路的主要功能是将RFVCO预置到期望的频率附近,从而帮助PLL更快地稳定。由于初始频率误差的很大一部分是由inte处理的。光栅校准回路,总锁定时间可以大大限制在一个小范围内,而不考虑所需的频率。

快速采集系统

在数字校准回路预置RFVCO后,射频合成器恢复到锁相环操作,并启动快速采集系统。为了加快沉降速度,设置了电荷泵电流。在一段时间内比正常设置的电流高。一般为20秒或60秒。

Voltage Control Crystal Oscillator

电压控制晶体振荡器(VCXO)由放大器、缓冲器和可编程电容阵列组成。放大器设计为与标准26 mhz晶体平行谐振。该缓冲器提供一个典型的600 mVpp电压波动在26MHz。由0.047 pF到3 pF的0.047 pF的电容阵列用于调整由于晶体制造变化而产生的固定偏移量。提供微调功能的内部变容器与电容器阵列相结合。

Regulator

MT6139内置内部调节器,为收发器中的关键模块提供低噪声、稳定、温度和工艺独立的电源电压。在MT6139中有三个调整器,分别给VCO核心电路、Sigma-Delta调制器和VCXO电路.

第一个只有一个输出的调节器被送至Sigma-Delta调制器.输出电压为2.0V。当电路被禁用时,通过内部P沟道MOSFET通过晶体管输出为2.8 V而不是0 V。调整器的最大输出电流为20 mA。

第二调节器的输出输入到VCO核心电路。电平为1.3V,最大输出电流为30 mA。最后一个调节器的输出输入到VCXO电路。输出电压电平为2.2V,最大输出电流为10 mA。校准者,[机]调整器,校准器,调节器,[化]调节剂,[无线]稳定器,调节基因,(钟表的)整时器,标准钟。

内部P沟道MOSFET通过晶体管实现低漏(LDO)电压小于150 mV在所有的调节器。除了一个馈送到Sigma-Delta调制器之外,还有一个外部的。电容器连接到噪声旁路引脚,以降低调节器的输出噪声水平。

参考资料:

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