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| ROM（断电保存） | RAM（断电丢失） |
|---|---|
| EEPROM | |
| Flash | |
| EEPROM |
ROM（Read Only Memory）
广义的ROM包括：
- EEPROM
- FLASH
EEPROM的来历
- ROM(Read Only Memory) : 只读存储器
- ROM内部的数据是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的数据是否正确，不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
- PROM(Programmable ROM) : 可编程只读存储器
- 最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有数据，用户可以用专用的编程器将自己的数据写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入数据的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
- EPROM(Erasable Programmable ROM) : 可擦除可编程只读存储器
- 可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内数据的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）。EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入数据后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使数据受损。
- EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) : 电气可擦除可编程只读存储器
- EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将数据全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。
FLASH
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和TF卡里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用EEPROM作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了EEPROM在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
RAM（Random Access Memory）
RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存用的就是DRAM的。
- SRAM
- DRAM
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。