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- 前言
根据前一篇文章介绍nandflash的基本特性，我们开始配置寄存器, 对于arm9来说，配置nandflash控制器相关寄存器是比较简单的，我们不需要考虑nandflash工作时序问题，我们只要配置控制器好参数，控制器会自动跟nandflash联系(产生读， 写，擦除时序等) - 寄存器介绍
前一篇详细介绍了nandflash的读时序
1.首先发命令 00H(读命令)
2.发送地址
3.发送地址
4.发送命令 30H(读命令)
5.忙等待
6.读取数据
可以猜测出, 完成读命令需要一个发送地址的寄存器，一个发送命令的寄存器, 需要一个能读取nandflash当前状态的寄存器, 一个存放数据的寄存器, 因此，根据三星用户手册:
NFCONF –>基本的配置
NFCONT –>nandflash的使能,片选等
NFCMD –> 放入命令
NFADDR –> 放入地址
NFDATA –> 放入或者读取数据
NFSTAT –> nandflash状态
当然还有其他的寄存器，但是使其工作的话这几个就够用了 - NFCONF
上面三个红色框标记的三个参数, 根据三星手册第6章我们可以看到三者代表的意义, 如下图
这是命令访问周期( 其实就是把上一篇文章的读时序分析的读命令进行放大化分析) , 结合nandflash数据手册， 如下图:
上图中有很多的时间, 其中以S结尾的我们叫做建立时间(Set)，以H结尾的是保持时间(Hold)
对比上面两个图我们可以得出结论
1.从CLE拉高到WE使能的这段时间,意思就是说CLE要使能一段时间，稳定后在WE使能
“TACLS”= tCLS - Twp
2.WE写周期时间:
“TWRPHO” = twp
3.CLE保持时间(WE无效后, CLE需要保持一段时间，使其能好好的锁存，即延长硬件的锁存动作（就是存储一段时间），如果WE上升沿后马上拉高CLE（锁存使能无效）, 很可能数据就不能及时存入nandflash，造成存储丢失, 我们还可以看到命令在I/O总线上也要随着CLE停留而停留一段时间(tDH)
“TWROH1” = tCLH
找到关系后, 通过nandflash数据手册可以找到这些时间的最小定义(即完成动作的最小时间，比如 tCLS的最小时间)
所以，我们要满足
“TACLS”>= 0ns
“TWRPHO” >=12ns
“TWROH1” >=5ns
即三个参数配置为 0 3 0 可满足要求 - NFCONT寄存器
Reg_nCE：用来控制片选 (一般在读写一次的周期，都要进行片选信号的选定，取消选定的操 作,目的是为了省电)
MODE： 用来控制flash是否能工作
其余的寄存器比较简单，如下图
首先是 NFCMMD寄存器, 第8位写入命令即可，其它位保留
其次NFADDR寄存器，同上
NFDATA寄存器，写入数据，对于如何写入数据，查看Page6-5，对于我们的nanflash，IO口为8位
我们可以看到 传送4个字节，2个字节，1个字节的大小端方式，注意，嵌入式系统中，一个word为4个字节
拿第一种情况来说,存4个字节的数据,0x12345678(大端, 内存低字节存高位) , 所以先发送 0x78(1st)–>0x56(2nd)–>0x34(3nd)–>0x12(4th)
最后为状态寄存器 NFSTAT
RnB: 读取nandflash的状态是否忙，比如读数据，发送读命令后，连续发5个地址，在发读命令，这时5个地址被锁存，锁存是需要一段时间, 所以之后马上要检测nandflash是否忙，如果忙，则while等待到不忙为止，然后真正的读取数据, 好了，寄存器的重要部分介绍完了，之后可以参考韦东山老师的代码nandflash裸机代码进行分析
