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Smart4418 板载 1GB DDR3 SDRAM；
芯片型号 K4B4G1646D-BCK0；
16bit位宽，单片容量256Mbit * 16 = 4Gbit，即 512Mbyte;
板载两块，U6，U7；
SDRAM基本原理：
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SDRAM的全称是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写；
SDRAM内部分割成多个L-BANK，通过BA0-BA2来选择；
在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址；
行地址与列地址线是共用的(A0 - A14)，nWE控制读写，这里的n表示低有效；
- 预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位，同时释放S-AMP，以准备新行的工作。
DQ 数据引脚；
DM 数据屏蔽；