S5PV210裸机之Nandflash

NAND Flash

关于NAND Flash
S5PV210的NAND Flash控制器有如下特点:
1) 支持512byte,2k,4k,8k的页大小
2) 通过各种软件模式来进行NAND Flash的读写擦除等
3) 8bit的总线
4) 支持SLC和MCL的NAND Flash
5) 支持1/4/8/12/16bit的ECC
6) 支持以字节/半字/字为单位访问数据/ECC寄存器,以字为单位访问其他寄存器。
注意:在此使用的Mini210S的NAND Flash类型为SLC,大小为1G,型号为K9K8G08U0A。所以本章的内容是针对SLC类型的NAND Flash(包括256M/512M/1GB等),并不适用MLC类型的NAND Flash。

程序例子:(完整代码见链接)
代码多了nand.c这个文件,里面包含了对NAND Flash的相关操作。
/*nand.c*/
<1> NAND Flash初始化函数nand_init(),代码如下
void nand_init(void) 

// 1. 配置NAND Flash 
NFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<3)|(0<<2)|(1<<1)|(0<<0); 
NFCONT =(0<<18)|(0<<17)|(0<<16)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(0<<7)|(0<<6)|(0x3<<1)|(1<<0); 
// 2. 配置引脚 
MP0_1CON = 0x22333322; 
MP0_2CON = 0x00002222; 
MP0_3CON = 0x22222222; 
// 3. 复位 
nand_reset();

共3个步骤:
第一步 配置NAND Flash
主要是设置NFCONF和NFCONT两个寄存器

image

NFCONF寄存器

AddrCycle = 1,When page size is 2K or 4K, 1 = 5 address cycle,Mini210S的NAND Flash的页大小为2k,所有是5个地址周期; 
PageSize = 0,When MLCFlash is 0, the value of PageSize is as follows: 0 = 2048 Bytes/page,Mini210S使用的是SLC NAND Flash且每页大小为2k; 
MLCFlash = 0,在此使用的是SLC NAND Flash; 
TWRPH1/TWRPH0/TACLS是关于访问时序的设置,需对照NAND Flash芯片手册设置,这里不再详细解释,分别取TWRPH1=1,TWRPH0=4,TACLS=1; 
ECCType0/MsgLength,我们的裸机代码没有使用到ECC,所有不用设置这两个标志。

image

image

MODE = 1,使能NAND Flash控制器; 
Reg_nCE0 = 1,取消片选,需要操作NAND Flash时再发片选; 
Reg_nCE1 = 1, 取消片选,需要操作NAND Flash时再发片选; 
InitMECC/InitSECC/SECCLock/MECCLock,我们的裸机代码不涉及ECC,这4个标志位随便设置即可;
RnB_TransMode = 0,Detect rising edge,RnB是NAND Flash的状态探测引脚,我们使用上升沿触发; 
EnbRnBINT = 0 ,禁止RnB中断; 
EnbIllegalAccINT = 0,禁止Illegal access 中断 ; 
EnbMLCDecInt/EnbMLCEncInt为MCL相关,不用设置; 
LOCK = 0,我们没有用到Soft Lock,所以禁止Soft Lock; 
LockTight = 0,我们没有用到Lock-tight,所有禁止Lock-tight; 
MLCEccDirection,MLC相关,可不用设置
第二步 配置引脚
用于NAND Flash相关功能;
第三步 复位
复位函数nand_reset的相关代码如下: 
static void nand_reset(void) 

    nand_select_chip();
    nand_send_cmd(NAND_CMD_RES); 
    nand_wait_idle(); 
    nand_deselect_chip(); 

NAND Flash的复位操作共4个步骤:
1) 发片选,实质就是NFCONT &= ~(1<<1);往NFCONT的bit[1]写0;
2) 发命令复位命令NAND_CMD_RES (0xff);实质就是NFCMMD = cmd;将命令写到NFCMMD寄存器;完整的NAND Flash命令信息见下图:

image

3) 等待NAND Flash 就绪;实质就是while( !(NFSTAT & (BUSY<<4)) ),读NFSTAT的bit[4]检查NAND Flash是否就绪;
4) 取消片选,实质就是NFCONT |= (1<<1); 往NFCONT的bit[1]写1;

<2> NAND Flash读ID函数nand_read_id(),代码如下
void nand_read_id(void) 

nand_id_info nand_id; 
// 1. 发片选 
nand_select_chip(); 
// 2. 读ID 
nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_ID); 
nand_send_addr(0x00); 
nand_wait_idle(); 
nand_id.IDm = nand_read(); 
nand_id.IDd = nand_read();
nand_id.ID3rd = nand_read(); 
nand_id.ID4th = nand_read(); 
nand_id.ID5th = nand_read(); 
printf("NANDFlash: makercode = %x,devicecode = %x\r\n",nand_id.IDm,nand_id.IDd); 
nand_deselect_chip(); 
}

image

NAND Flash 读ID操作

根据上图,NAND Flash的读ID操作共4个步骤:
第一步 发片选;
第二步 发读ID命令NAND_CMD_READ_ID(0x90);
第三步 发地址0x00;调用函数nand_send_addr();
第四步 等待NAND Flash 就绪;
第五步 读ID;调用了nand_read()函数,实质就是读NFDATA寄存器;
下面解释一下函数nand_send_addr(),核心代码如下: 

// 列地址,即页内地址 
col = addr % NAND_PAGE_SIZE; 
// 行地址,即页地址 
row = addr / NAND_PAGE_SIZE; 
// Column Address A0~A7 
NFADDR = col & 0xff; 
for(i=0; i<10; i++);
// Column Address A8~A11 
NFADDR = (col >> 8) & 0x0f; 
for(i=0; i<10; i++); 
// Row Address A12~A19 
NFADDR = row & 0xff;
for(i=0; i<10; i++); 
// Row Address A20~A27 
NFADDR = (row >> 8) & 0xff; 
for(i=0; i<10; i++); 
// Row Address A28~A30 
NFADDR = (row >> 16) & 0xff; 
for(i=0; i<10; i++); 

首先根据页大小来获取页地址和页内偏移地址,然后通过5个周期将地址发送出去,实质就是写NFADDR寄存器,具体每个周期如何发送,查阅NAND Flash芯片手册可知,见下图:

image

发送地址后,就可以连续读出5个ID了,其中第一个是MAKDER CODE, 第二个是DEVICE CODE。

<3> NAND Flash擦除函数nand_erase(),核心代码如下:

// 获得row地址,即页地址 
unsigned long row = block_num * NAND_BLOCK_SIZE; 
// 1. 发出片选信号 
nand_select_chip(); 
// 2. 擦除:第一个周期发命令0x60,第二个周期发块地址,第三个周期发命令0xd0 nand_send_cmd(NAND_CMD_BLOCK_ERASE_1st);
for(i=0; i<10; i++); 
// Row Address A12~A19 
NFADDR = row & 0xff; 
for(i=0; i<10; i++); 
// Row Address A20~A27 
NFADDR = (row >> 8) & 0xff; 
for(i=0; i<10; i++); 
// Row Address A28~A30 
NFADDR = (row >> 16) & 0xff; 
NFSTAT = (NFSTAT)|(1<<4); 
nand_send_cmd(NAND_CMD_BLOCK_ERASE_2st); 
for(i=0; i<10; i++); 
// 3. 等待就绪 
nand_wait_idle(); 
// 4. 读状态 
unsigned char status = read_nand_status(); 
}

image

根据上图,NAND Flash的擦除操作共6个步骤:
第一步 发片选;
第二步 发擦除命令1 NAND_CMD_BLOCK_ERASE_1(0x60);
第三步 发页地址,只需发页地址;
第四步 发擦除命令2 NAND_CMD_BLOCK_ERASE_2st(0xD0);
第五步 等待NAND Flash就绪;
第六步 读状态,判断擦除是否成功。若擦除失败,则打印是坏块再取消片选;否则直接直接取消片选即可。读状态调用了函数read_nand_status(),它的实质就是nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_STATUS);ch = nand_read();先发读状态命令NAND_CMD_READ_STATUS,然后再读状态值。   

<4> NAND Flash读函数copy_nand_to_sdram(),从NAND Flash中读数据到DRAM,核心代码如下:

// 1. 发出片选信号 nand_select_chip();
// 2. 从nand读数据到sdram,第一周期发命令0x00,第二周期发地址nand_addr,第三个周期发命令0x30,可读一页(2k)的数据
while(length) 

nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_1st); 
nand_send_addr(nand_addr); 
NFSTAT = (NFSTAT)|(1<<4); 
nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_2st); 
nand_wait_idle(); 
// 列地址,即页内地址 
unsigned long col = nand_addr % NAND_PAGE_SIZE; 
i = col; 
// 读一页数据,每次拷1byte,共拷2048次(2k),直到长度为length的数据拷贝完毕 
for(; i<NAND_PAGE_SIZE && length!=0; i++,length--) 

*sdram_addr = nand_read(); 
sdram_addr++; nand_addr++; 


// 3. 读状态 
unsigned char status = read_nand_status(); 
}

image

NAND Flash 读操作

根据上图,NAND Flash的读操作共7个步骤:
第一步 发片选;
第二步 发读命令1 NAND_CMD_READ_1st(0x00);
第三步 发地址,调用函数nand_send_cmd(),发5个地址周期;
第四步 发读命令2 NAND_CMD_READ_2st(0xD0);
第五步 等待NAND Flash就绪;
第六步 从页内偏移地址开始读,读到页结尾即结束,每次读1byte;
第七步 读状态,判断是否读成功。

<5> NAND Flash写函数copy_sdram_to_nand (),从DRAM写数据到NAND Flash,核心代码如下:

// 1. 发出片选信号 
nand_select_chip(); 
// 2. 从sdram读数据到nand,第一周期发命令0x80,第二周期发地址nand_addr,第三个周期写一页(2k)数据,第四周期发0x10 
while(length) 

nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_1st); 
nand_send_addr(nand_addr); 
// 列地址,即页内地址 
unsigned long col = nand_addr % NAND_PAGE_SIZE; 
i = col; 
// 写一页数据,每次拷1byte,共拷2048次(2k),直到长度为length的数据拷贝完毕 
for(; i<NAND_PAGE_SIZE && length!=0; i++,length--) 

nand_write(*sdram_addr); 
sdram_addr++; 
nand_addr++; 

NFSTAT = (NFSTAT)|(1<<4); 
nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_2st); 
nand_wait_idle(); 

// 3. 读状态 
unsigned char status = read_nand_status();

}

image

根据上图,NAND Flash的写操作共7个步骤:
第一步 发片选;
第二步 发写命令1 NAND_CMD_WRITE_PAGE_1st (0x80);
第三步 发地址地址,调用函数nand_send_cmd(),发5个地址周期;
第四步 发读命令2 NAND_CMD_WRITE_PAGE_2st (0x10);
第五步 等待NAND Flash就绪;
第六步 从页内偏移地址开始写,读到页结尾即结束,每次写1byte;
第七步 读状态,判断是否读成功。

2. main.c
在main.c中,首先会调用nand_init()来初始化NAND Flash,然后打印一个菜单,提供4种选择测试NAND Flash: 
读ID功能(nand_read_id()); 
擦除功能(nand_erase()); 
读功能(copy_nand_to_sdram()); 
写功能(copy_sdram_to_nand());

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