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N MOS和 P MOS 的区别
企业开发
2023-10-02 23:39:46
阅读次数: 0
N MOS
电子迁移率较大,导通电阻较低,导通损耗更小
P MOS
电子迁移率较小,导通电阻较高,导通损耗更大
相同规格情况下,P MOS的成本更高。
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转载自
blog.csdn.net/weixin_42107954/article/details/130739541
N MOS和 P MOS 的区别
N沟道MOS管和P沟道MOS管
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