噪声的类型：
1.shot noise(散弹噪声) 导体内部带电粒子运动的随机起伏造成的
2.thermal noise(热噪声) 导体中电子的热扰动造成的
3.flicker noise(闪变噪声) 也叫1/f噪声，可能是由半导体晶体不完美造成的
4.burst noise(突发噪声) 也叫爆米花噪声，是由半导体的缺陷及重离子注入造成的
5.avalanche noise(雪崩噪声)
噪声的种类很多。 有的是从器件外部窜扰进来的, 称为外部噪声；有的是器件内部产生的, 称为内部噪声。内部噪声源主要有电阻热噪声、 晶体管噪声和场效应管噪声三种。
1.电阻热噪声:电阻热噪声是由于电阻内部自由电子的热运动产生的。温度越高, 运动越剧烈。自由电子这种热运动在导体内形成非常微弱的电流, 这种电流呈杂乱起伏的状态, 称为起伏噪声电流。起伏噪声电流流过电阻本身就会在其两端产生起伏噪声电压。
2. 晶体管噪声：主要包括以下四部分：（１） 热噪声：构成晶体管的发射区、基区、集电区的体电阻和引线电阻均会产生热噪声, 其中以基区体电阻rbb′的影响为主。 （２） 散弹噪声：散弹噪声是晶体管的主要噪声源。它是由单位时间内通过ＰＮ结的载流子数目随机起伏而造成的。人们将这种现象比拟为靶场上大量射击时弹着点对靶中心的偏离, 故称为散弹噪声。 （３）分配噪声：在晶体管中, 通过发射结的非平衡载流子大部分到达集电结, 形成集电极电流, 而小部分在基区内复合, 形成基极电流。 这两部分电流的分配比例是随机的, 从而造成集电极电流在静态值上下起伏变化, 产生噪声, 这就是分配噪声。 （４） 闪烁噪声：由于晶体管表面清洁处理不好或有缺陷造成的, 其特点是频谱集中在约１kＨｚ以下的低频范围, 且功率频谱密度随频率降低而增大。在高频工作时, 可以忽略闪烁噪声。
3.场效应管噪声：场效应管是依靠多子在沟道中的漂移运动而工作的, 沟道中多子的不规则热运动会在场效应管的漏极电流中产生类似电阻的热噪声, 称为沟道热噪声, 这是场效应管的主要噪声源。 其次便是栅极漏电流产生的散弹噪声。场效应管的闪烁噪声在高频时同样可以忽略。
