初学MCU，C语言等知识的时候，对总线地址，ROM、RAM，flash，特殊寄存器等等都只是表面理解。突然想总结一下这几年的理解。
RAM：
首先RAM是我们常人理解的运行内存。存储在这里面的内容断电以后就没了，再次上点以后就要重新开始了。
那么我们思考再写单片机程序的时候，哪些东西是掉电以后就没了呢。
自然是我们的变量，但要只是是可以读写的变量哦，如果是只读变量也就是常量是存储在RAM空间的。
那我们再分一下可以读写的变量包含哪些；
不同的关键字修饰它可能就会不太一样。
常用的static变量，全局变量，局部变量这些都是再RAM内，但是RAM可以分为三个区域。堆、栈、静态存储区；
1、堆 由程序员自动分配（malloc）以及释放，这里的释放很关键，一定要在使用完成后释放内存(free)！！！
2、栈 编译器自动分配的，我们的局部变量，函数的一些形参都会存储在这个区域
3、静态存储区：这里存放的就是初始化的全局变量和static修饰的变量，这里注意只要是static修饰的变量都是存放在静态存储区的。
ROM/FLASH
关于ROM和flash，flash是ROM的一种；
所有的常量，只读变量，还有代码都是存储在flash的。
大师匈碰到的问题：
前段时间在用一家国产的MCU，RAM空间比较小。大师兄在做一个加密算法的时候碰到了空间不够用的情况。
通过计算代码的RAM占用情况，应该是够用的，但是结果却不够用。
是因为原厂把flash分为了俩个区域，编译器不能自动分配这俩个地址池。需要加关键字bank去修饰，程序员自己去分配。
还有就是因为编译器做的不好，所以在C语言的情况下，有很多比较方便的写法，但是涉及到直接寻址和间接寻址的关系，需要比较啰嗦，分开去写，效率会更高。印象很深的是要注意不能多次传参，受到他们堆栈级数的约束。
所以要参考他们给到的一些示意例程去写。提高效率合理使用。
国产MCU或者是芯片这方面还需要加油。。。。