hal库-芯片内部flash读写
使用说明：读写芯片内部flash–stm32cubemx-hal库
1、使用stm32cubemx配置和建立自己的工程文件
2、添加user_flash.h和user_flash.c文件到工程中
3、在需要使用的地方include "user_flash.h"头文件
4、直接调用user_flash.c文件内函数
user_flash.h文件代码如下：
#ifndef __USER_FLASH_H
#define __USER_FLASH_H
#include "main.h"
#define BYTE_SIZE 0x08 /*设置一个字节大小*/
extern void flash_write(uint32_t add, uint8_t data);
extern uint8_t flash_read(uint32_t add);
extern void flash_write_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len);
extern void flash_read_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len);
#endif /*__USER_FLASH_H*/
user_flash.c文件代码如下：
/*使用说明：读写芯片内部flash--stm32cubemx-hal库
1、使用stm32cubemx配置和建立自己的工程文件
2、添加user_flash.h和user_flash.c文件到工程中
3、在需要使用的地方include "user_flash.h"头文件
4、直接调用以下函数
void flash_write(uint32_t add, uint8_t data)
//功能：flash写入一个字节
//参数：add-写入的地址；data-写入的数据
//返回：void
----------------------------------------------
uint8_t flash_read(uint32_t add)
//功能：flash读出一个字节
//参数：add-读取的地址
//返回：temp-读取的字节
----------------------------------------------
void flash_read_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len)
//功能：flash写入一个数组的数据
//参数：add-写入数据的起始地址；data-写入数组名；len-写入数据长度
//返回：void
----------------------------------------------
void flash_write_buf(uint32_t add,uint8_t *data,uint8_t len)
//功能：flash读出一个数组的数据
//参数：add-读取数据的起始地址；data-读出数据存放数组名；len-读取数据长度
//返回：void
*/
#include "user_flash.h"
/*
void flash_write(uint32_t add, uint8_t data)
//功能：flash写入一个字节
//参数：add-写入的地址；data-写入的数据
//返回：void
*/
void flash_write(uint32_t add, uint8_t data)
{
FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁Flash
My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
My_Flash.PageAddress = add; //声明要擦除的地址
My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError); //调用擦除函数擦除
uint16_t Write_Flash_Data = data;
/*对Flash进行烧写，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的，此外还有32位跟64位的操作，自行翻查HAL库的定义即可*/
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, add, Write_Flash_Data);
HAL_FLASH_Lock(); //锁住Flash
}
/*
uint8_t flash_read(uint32_t add)
//功能：flash读出一个字节
//参数：add-读取的地址
//返回：temp-读取的字节
*/
uint8_t flash_read(uint32_t add)
{
uint8_t temp;
temp = *(__IO uint8_t *)(add);
return temp;
}
/*
void flash_read_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len)
//功能：flash写入一个数组的数据
//参数：add-写入数据的起始地址；data-写入数组名；len-写入数据长度
//返回：void
*/
void flash_read_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len)
{
uint8_t i = 0;
for (i = 0; i < len; i++)
{
data[i] = *(__IO uint8_t *)(add + i * BYTE_SIZE);
}
}
/*
void flash_write_buf(uint32_t add,uint8_t *data,uint8_t len)
//功能：flash读出一个数组的数据
//参数：add-读取数据的起始地址；data-读出数据存放数组名；len-读取数据长度
//返回：void
*/
void flash_write_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len)
{
uint8_t i = 0;
FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash; //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁Flash
My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //标明Flash执行页面只做擦除操作
My_Flash.PageAddress = add; //声明要擦除的地址
My_Flash.NbPages = 1; //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值
uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError); //调用擦除函数擦除
for (i = 0; i < len; i++)
{
/*对Flash进行烧写，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的，此外还有32位跟64位的操作，自行翻查HAL库的定义即可*/
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, (add + i * BYTE_SIZE), data[i]);
}
HAL_FLASH_Lock(); //锁住Flash
}
链接: git代码下载.
参考：https://www.cnblogs.com/xingboy/p/11346568.html
时间：2020.07.29