2021.1.31
本文使用HAL库中的函数进行Flash的读写操作。
1.Flash简介
Flash就是关于平常程序储存的地方，而sram一般是存放变量的地方。Flash中的数据不会因为断电而丢失，SRAM则会。
-
为了保护数据的安全，Flash有安全锁，对Flash写入时先要解锁，擦除，写入，锁上。任何时候对任何型号的STm32都是这些操作
- Flash中的内存分页，修改一页的内容中内容时，不支持只修改一部分，所以修改前要将整页擦除
- 擦除数据，就是将整页数据变成1，而数据一16位的形式保存在Flash中，因此观察寄存器可以看见擦写过后的Flash的地址位0xFF。
- 地址是32位
2.Flash的解锁和锁上函数
HAL_FLASH_Lock();
/****用户操作********/
HAL_FLASH_Unlock();
3.flash的擦除函数
创建错误返回参数 （参数2）
uint32_t FlashError=0;
正确擦除后，FlashError因该会返回值FFFFFFFF
4.flash写入函数
参数1为，写入数据的类型（8/16/32/64位）
参数2为，开始写入地址
参数3为，要写入的地址
5.读取函数
自己建立一个函数，里面通过函数memcpy（）进行复制
简单介绍以下memcpy()函数
注意到，
参数1为，数据需要复制到的地址
参数2为，数据原来所在的地址
参数3为，需要 复制的字节，对是字节，这就说明，不论，前两个参数是说明类型，这个函数就复制相应个字节数据，有很强的适用性。
6.创建工程
STM32C'ubeMX中直接生成一个工程即可
7.代码实现
首先要确定需要写入的地址：博主使用的STM32f103ZET6，512kFLASH内存，（不同型号的地址不同，自行在下面表中查找，这是STM32f10XX的，其他型号，在对应手册中应该有）照表选用最后一页的地址，防止对存在前面的程序产生影响。
uint32_t address=0x0807E000;
下面是将字符串写进Flash中的代码
注意以下几点
-
字符串为8位数据，需要转化成32位类型，去接受数据。
-
写入数据的时候，每写完一个数据，地址要前移，数组也要前移。
#define MAX 8//数据长度
uint8_t Bf_date[MAX]="dawn_zs";//数据
uint8_t Af_date[MAX];//读取数据的数组
uint32_t address=0x0807E000;//地址
uint32_t FlashError=0;//擦除的反馈void printfflash(void)//读取并打印，需要重定向printf，并且在建立工程的时候勾选一个串口
{
memcpy((uint32_t *)Af_date,(void*)address,MAX);
printf("%s",Af_date);}
void FLASHWRITER(uint32_t addr,uint32_t* pdate, uint32_t len)//读数据函数
{
uint32_t i=0;
for(;i<len;i++)// i个32位数据
{
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr,*pdate);
addr+=4;//32位为4个字节所以地址加4
pdate++;//因为为32位数组所以加1就行
}}
void FLASH_init(void){
HAL_FLASH_Unlock();
FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
FlashSet.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES;
FlashSet.PageAddress=address;
FlashSet.NbPages=1;
printfflash();
HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet,&FlashError);
printfflash();
FLASHWRITER(address,(uint32_t*)Bf_date,MAX/4);
printfflash();HAL_FLASH_Lock();
}
int main(void)
{
HAL_Init();
SystemClock_Config();
MX_GPIO_Init();
MX_USART1_UART_Init();
FLASH_init();
while (1)
{
}
}