SMPS模式

外部直接输入模式

供电方案选择

引脚总览

众所周知，一块电路需要正常工作，合适的外部供电系统肯定是必不可少的。对于TC264也是如此，如果我们需要我们的最小系统可以安全，稳定的工作，需要对我们外部的稳压电路进行合理配置。

PMU单元

简介

AURIX单片机电源控制系统叫做PMU（Power Supply and Control）单元，它负责对外部输入的电源进行控制调整，使得其能够达到片上所需的电压要求。下面是TC264D用户手册里对该单元组成的简单介绍：

PMU单元简介

在TC26x B-Step中实现了片上线性和开关模式电压调节器，从而使单电源供电成为可能。外部标称系统（EVR-external nominal system）电源可以是5v或3.3 V。有两个独立的并联嵌入式稳压器(EVR33和EVR13)从外部电源产生3.3 V和1.3 V的电源电压。当外部电源为5v或3.3 V时，EVR13稳压器可选择线性稳压(LDO)或开关电源稳压(SMPS)模式。EVR33稳压器是作为LDO稳压器实现的，仅在外部电源为5v的情况下才需要。

当然，根据选择的EVR模式，系统的实际功耗、电磁干扰要求和热约束；可能需要额外的外部组件，如mosfet、电感器和电容器。也可以在外部提供3.3 V和1.3 V的电源电压，从而确保符合传统电源的概念。

所有的电源和产生的电压都受到内部监控，以防止超调和基于可编程阈值的限电。如果违反了这些阈值，则会触发复位冷电源或向SMU提供警报。

在单个5v外部电源的情况下，端口将主要具有5v逻辑电平。然而，它可以运行部分端口域，即Flexport (P11.x)，在3.3 V的逻辑级别，即使设备是由5v供电的。Flexport可以直接由5v外部电源提供，也可以由内部产生的3.3 V EVR电源提供。在这两种情况下，Flexport域的供应(VFLEX= 5v或3.3 V)的路由都是在外部完成的。而单个3.3 V外部电源(VEXT = VDDP3 = VFLEX = VDDM = 3.3 V)时，整个端口和模拟域的逻辑电平为3.3 V。

除模拟域(VAREFx和VDDM)外，所有内部电源均可由EVRs提供。模拟电源域与主EVR电源域分离，可以由单独的外部调节器或跟踪器提供。可以使用一个5VADC域的混合电源方案(VDDM / VAREFx = 5 V)，其余系统运行在3.3 V电源上(VEXT = VDDP3 = 3.3 V)。

看完上面所述对PMU单元应该就有了一个基本了解。PMU单元最重要的就是EVR33和EVR13两个稳压器，它们负责把输入的单电源配置成单片机不同区域所需要的电压。

这里有一点需要注意：TC264D支持一组Flexport，即P11端口。这个端口的引脚可以区别于单片机其它引脚，在5V单电源输入时可以配置成单独的3.3V端口，但3.3V单电源时就只能和其它端口的电压类型保持一致了。

EVRx

EVRx简介

EVRx是对EVR33和EVR13的统称。EVR13可以将供电电压转换为内部模块需要的1.3V电压；而EVR33则可以将电压转换为3.3V。EVR13主要是为内核供电，包括片内RAM等；EVR33可以为FLASH模块、LVDS接口驱动、时钟电路、JTAG接口等供电。

此外，EVR33还能够驱动有限数量的非感性3.3 V外部负载，并可在配置为3.3 V端口的情况下提供Flexport。每个EVR构成一个数字调节器、一个pass 装置控制单元和一个电压反馈回路。通过电容器适当地缓冲器件输出，以处理负载瞬态，从而不违反工作电压限制。每个EVR可以通过HWCFG引脚单独禁用。每个EVR也可以通过受保护的寄存器来进入省电模式。EVR13和EVR33可以通过EVR13CON.EVR13OFF和EVR33CON.EVR33OFF位分别禁用。

EVRx可以设置为两种模式：SMPS（开关电源模式）和LDO（线性稳压）模式。其中EVR13用在外部电源5V或3.3V的情况下，可以配置为SMPS和LDO两种模式；EVR33则只工作在外部供电5V的情况下，而且只有一种LDO模式。

EVRx的供电模式一般取决于外部电源配置引脚，这些引脚如何配置及其之间的关系我们在之前的表格里已经给出，这里不再赘述。下面列出这些方案的电路拓扑：

LDO模式

先介绍一下LDO的原理，如图所示是一个简单的LDO内部拓扑示意图：

当使能信号给出之后，误差比较器开始工作。刚开始时Q1这个PMOS未导通，误差比较器的反向端无电压，误差存在比较器输出信号导通Q1管。随后Vout电压逐步上升，直到反向输入端得到的分压和Vref相等时，比较器切断Q1管。然后输出电压又下降，管子再次导通，然后再关闭，然后再导通……如此周而复始，管子实际上是在一定周期内维持了一个固定的导通角。因为外部存在着Cout电容进行缓冲，所以最终输出会稳定在Vref。

下面的电路就是芯片内部EVRx构成LDO模式情况的连线图，c，b，g，f 四种方式为内部EVR工作在LDO模式下。c表示的是5V单电源配合外置pass器件构成LDO；b表示的是5V单电源配合内置pass器件构成LDO；g表示的是3.3V单电源配合外置pass器件构成LDO；f表示的是3.3V单电源配合内置pass器件构成LDO。

上面LDO拓扑虚线框里的电路实际上就是在EVRx的主要电路。所以如b，f所示，EVR13（EVR33）外部不接mos只需接电容就可以直接构成稳压输出。但是这样输出的电流实际上很小，只能满足芯片基本的需求。为了让我们的芯片能够工作在更加稳定的状态，我们一般还是使用c，g这样的外置mos，这种情况下，内外相当于两个mos分别被控制并联输出，提高驱动能力。

SMPS模式

这种模式只有EVR13可以配置，在这种模式下，需要在外部配置相应的开关管，以及LC电路，如图所示。采用开关电源的降压型step-down拓扑结构，这种结构也称为BUCK电路。外部输入电压为5V或3.3V，经过降压产生1.3V的电压输出，输出电压到VDD引脚给内核供电。

BUCK型电路的原理很简单。开关管打开的时候，负载直接由电源供电，同时大电感进行储能；开关管关闭的时候，大电感释放能量，通过二极管续流通道继续给负载供电。这样平均周期里负载上的电压就会下降，而下降的幅度是靠开关管在单个周期内的导通时间决定的，也就是我们所称的占空比。

而我们使用的SMPS模式下配置的一组mos管实际上与上图基本完全一致，上臂的P-mos实际上等同于BUCK电路的开关管，而下臂的N-mos实际上等同于BUCK电路的二极管。实际上，这二者的驱动信号应该是接在一起的，即配置在SMPS模式时，VGATE两个脚输出的波形是一致的。当P-mos导通时，N-mos关断，电源供电；当P-mos关断时，N-mos导通，电感续流。

a，e表示的分别是5V单电源使用SMPS模式和3.3V单电源使用SMPS模式，可以发现他们的EVR13处接线都是一样的，所去别的仅仅是EVR33是否使用了LDO。

这里值得一提的是，SMPS情况下也不是一定需要EVR控制器来控制开关mos。还可以如图中所示，利用内置PID控制器进行降压调节。这种同步外部降压调节器的开关频率比内部调节器低得多，同时，其提供了一个缩放的同步时钟输出，并将其路由到外部引脚(P33.13引脚- DCDCSYNC输出)。

外部直接输入模式

这种方式是最简单的。d表示的是5V和1.3V直接外部输入；h表示的是5V，3.3V和1.3V均为外部输入。

供电方案选择

引脚总览

在之前对硬件配置引脚和基础配置引脚的介绍中，我们都提到了电源配置引脚有关的知识。在这里我们再说明一下：TC264所需连接的电源引脚如图所示，共有八组，它们分别如表格中所示：

**TC264D-P144需要连接的电源引脚表**
电源引脚	接地引脚	范围	主要功能
5 V±10%或3.3V±10%灵活电源电压
VEXT	VSS 或 E-pad	2.97~5.50	芯片内EVR13和EVR33稳压器的源电压。决定I/O电平的主要的I/O电源。通用待机电源引脚
VFLEX	VSS 或 E-pad	2.97~5.50	Flexport专用电源。3.3V或5V电源给VFLEX 供电，决定Flexport的I/O电压。
VDDM	VSSM	2.97~5.50	ADC主电源。
VAREF1	VAGND1	2.97~5.50	全部器件的ADC参考电源。
3.3V±10%电源电压
VDDP3	VSS 或 E-pad	2.97~3.63	Flash，JTAG和P21电源
VDDFL3	VSS 或 E-pad	2.97~3.63	Flash传感放大器电源。
1.3V±10%电源电压
VDD	VSS 或 E-pad	1.17~1.43	主内核电源。
VDDSB	VSS 或 E-pad	1.17~1.43	仿真器件EMEM（仿真存储器）电源。仅在ED器件中具备。

硬件配置选择

经过之前的分析，我们决定选择外置pass器件的3.3V输入LDO模式，即如前图g所示。这种设计相对来说兼顾了系统复杂性和设备稳定性，是一种最小系统板比较实用的电源模式。所以我们需要将外部的电阻HWCFG【0：2】配置为101B，即只需将P14.5下拉即可。

最终，结合前面所说的其它硬件引脚的配置，我们的HWCFG如下配置（注：opt下标表示不贴该电阻）：

器件选型

官方针对不同类型的电路有推荐的器件组合，这里一并贴出。（至于能不能买得到就看你的财力了=-=）

**不同电源模式的元件选型**
序号	情况/使用实例	MOSFET(封装)	电感/电容（封装）→元件参考
EVR13 SMPS/DC-DC稳压器
1.	IDD <400 mA fDC = 1.5 MHz	互补型MOSFET BSL215C (TSOP-6)=> Q_1	1.电感 LTF3020T-3R3N-H/D1) => L_1 2.输出电容 CGA6M3X7R1C106K (1210)=> C_1 3.输入电容 CGA5L1X7R1C685K (1206)=> C_2
2.	IDD <400 mA fDC = 1 MHz	互补型MOSFET BSL215C (TSOP-6)=> Q_1	1.电感 LTF3020T-4R7N-H/D => L_1 2.输出电容 CGA6M3X7R1C106K (1210)=> C_1 3.输入电容 CGA5L1X7R1C685K (1206)=> C_2
3.	IDD <1 A fDC = 1.5 MHz	互补型MOSFET BSZ15DC02KD (S3O8)=> Q_1	1.电感 LTF5022T-3R3N2R5-H/D1) => L_1 2.输出电容 CGA6P1X7R1C226M (1210)=> C_1 3.输入电容 CGA6M3X7R1C106K (1210)=> C_2
4.	IDD <1 A fDC = 1 MHz	互补型MOSFET BSZ15DC02KD (S3O8)=> Q_1	1.电感 LTF5022T-4R7N2R0-H/D => L_1 2.输出电容 CGA6P1X7R1C226M (1210)=> C_1 3.输入电容 CGA6M3X7R1C106K (1210)=> C_2
把外部P通道MOSFET作为pass device的EVR13 LDO
5.	IDD < 300 mA	P沟道 MOSFET SPD04P10PL (TO-252)	输出电容 C3216X7R1C475K (1206)
采用内部pass device的EVRx3 LDO – 缓冲电容
6.	IDDX < 100 mA	-	C3216X7R1C105K (1206) => C_2
7.	IDDX < 200 mA	-	C3216X7R1C225K (1206) => C_2
8.	IDDX < 300 mA	-	C3216X7R1C475K (1206) => C_2

3.3V稳压电路

因为我们放弃了内部的3.3V稳压，所以我们需要外部的3.3V稳压处理，这里也是一个集成LDO的电路。输入端由一个PTC子回复保险丝和ESD二极管构成保护，防止浪涌或反接造成的电路破坏。同时前后各有一组Π型RC滤波器进行滤波。

与此同时，按照上面所述，将3.3V输入直接引入VDDP3_1和VDDP3_2

1.3V稳压电路

内部的1.3V稳压直接按照标准方式进行配置。这里的LDO的mos选型最好VGS要在2V左右，这样3.3V直接降下来mos管的调整范围相对来说是最大的，也最稳定。这里我选的是BSP171，这个mos实际上已经有点大了，官方推荐的bss83实际上应该是我们最小系统最合适的mos，电流输出和栅源电压都满足。那你肯定问我既然好干嘛不选，道理也很简单，因为嘉立创没货了……