MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。MRAM技术仍远未实现其潜力，但截至2020年初，市场上有从很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，并且公司正在将该技术用于许多应用。
虽然有了这么多的论文和研究成果，但是目前并没有MRAM实际产品制造出来。
另一个有趣的问题就是MRAM保存数据的稳定性，热稳定性毫无疑问会影响数据的保留期限，温度越高就越不稳定，这就需要平衡数据保存的期限。
一般的半导体数据保存期限是10年，为此需要1bit或者2bit的ECC校验单元，而sram缓存上已经集成了ECC功能，从这点上来看没有增加成本，是一种合适的选择。
Intel指出做缓存的情况下，半导体保存数据的期限远远没必要达到10年这么高，可以适当降低热稳定性要求，这一点是非常重要的，甚至一个月的时间都太长了，能保持数据2周就可以了。
考虑到MRAM写入速度较低的缺点，降低热稳定性要求其实是好事一件，因为它可能改变MRAM的存储单元，带来提高数据写入速度的可能，使得MRAM更加适合缓存的要求。