ST-MRAM有潜力成为领先的存储技术，因为它是一种存储器（可以挑战DRAM和SRAM），可扩展至10nm以下，并挑战了闪存的低成本。STT代表旋转传递扭矩。在ST-MRAM器件中，电子的自旋使用自旋极化电流翻转。
目前有研发人员开发了一种新的超低功耗ST-MRAM架构，称为Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人员说，SL-ST-MARM同时实现了超高MR比，高速开关和低RA。
SL STT MRAM结构
SL-ST-MRAM基于SL-ST-MTJ，它使用超晶格势垒代替了传统STT-MTJ中的单晶（MgO）势垒。超晶格屏障由交替的金属层和绝缘层组成，其中在绝缘层中仅使用非晶而不是单晶。与传统的基于MgO的ST-MRAM相比，SL-ST-MRAM具有更高的重复写入可靠性。
研发人员进一步说，SL-ST-MRAM的生产与传统的ST-MRAM工艺兼容，并且根据他们的发现，SL-ST-MTJ可以降低90％以上的开关功率和RA值，而MR比和开关速度可以增加十倍以上.研究人员现在正与业界接触，寻找可以进一步开发SL-ST-MRAM技术并使其商业化的合作伙伴。