物联网ram继承PSRAM的积极特性
物联网ram继承了PSRAM的积极特性-结合了一个相对简单的SRAM接口和DRAM存储单元技术,该接口简化了产品设计,与SRAM相比降低了产品成本(降低了10倍),并且与SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM还具有低延迟–允许从超低功耗模式快速唤醒和快速上电时间
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