谈到芯片，首先想到的一定是性能，功耗，价格，成熟度，生态圈兼容性等。但是只针对芯片本身的话，是看芯片内部有什么运算能力，比如处理器，浮点器，编解码器，数字信号处理器，图形加速器，网络加速器等，还要看提供了什么接口，比如闪存，内存，PCIe，USB，SATA，以太网等，还有看里面自带了多少内存可供使用，以及功耗如何。
性能，对CPU来说就是基准测试程序能跑多少分，比如Dhrystone，Coremark，SPEC2000/2006等。针对不同的应用，比如手机，还会看图形处理器的跑分，而对网络处理器，会看包转发率。当然，还需要跑一些特定的应用程序，来得到更准确的性能评估。
功耗，从high level来看，也分动态功耗和静态功耗。动态功耗，就是在跑某个程序的时候，芯片的功率是多少瓦。通常，这时候处理器会跑在最高频率，但这并不意味着所有的晶体管都在工作，由于power gating和clock gating的存在，有些没有被用到的逻辑和片上内存块并没在耗电。芯片公司给出的处理器功耗，通常都是在跑Dhrystone。这个程序有个特点，它只在一级缓存之上运行，不会访问二级缓存，更不会访问内存。这样得出的功耗，其实并不是包含了内存访问的真实功耗，也不是最大功耗。为得到处理器最大功耗，需要运行于一级缓存之上的向量和浮点指令，其结果通常是Dhrystone功耗的2-3倍。但是从实际经验看，普通的应用程序并不能让处理器消耗更高的能量，所以用Dhrysone测量也没什么问题。当然，要准确衡量整体的芯片功耗，还得考虑各种加速器，总线和接口，并不仅仅是处理器。
在芯片设计阶段，最重要的就是PPA，它转化为设计，就是功能，性能，功耗，直接影响价格。其中，性能有两层含义。在前端设计上，它表示的是每赫兹能够跑多少标准测试程序分。通常来说，流水线级数越多，芯片能跑到的最高频率越高。可是并不是频率越高，性能就越高。这和处理器构架有很大关系。典型的反例就是Intel的奔腾4，30多级流水，最高频率高达3G赫兹，可是由于流水线太长，一旦指令预测错误，重新抓取的指令要重走这几十级流水线，代价是很大的。而它的指令又非常依赖于编译器来优化，当时编译器又没跟上，导致总体性能低下。而MIPS或者PowerPC的处理器频率都不高，但是每赫兹性能相对来说还不错，总体性能就会提高一些。所以性能要看总体跑分，而不是每赫兹跑分。
性能的另外一个含义就是指最高频率，这是从Backend设计角度来说的。Backend的人只看芯片能跑到多少频率，频率越高，对实现的时候的timing, noise等要求不一样。频率越高，在每赫兹跑分一定的情况下，总体性能就越高。请注意对于那些跑在一级缓存的程序，处理器每赫兹跑分不会随着频率的变化而变化。而如果考虑到多级缓存，总线和外围接口，那肯定就不是随处理器频率线性增加了。
从后端角度考虑，影响频率的因素有很多，比如：
首先，受工艺的影响。每一种制程（例如14nm）下面还有很多小的工艺节点，例如LP，HP等。他们之间的最高频率，漏电，成本等会有一些区别，适合不同的芯片，比如手机芯片喜欢漏电低，成本低的，服务器喜欢频率高的，不一而足。
其次，受后端库的影响。Foundry会把工艺中晶体管的参数抽象出来，做成一个物理层开发包（可以认为叫DK），提供给工具厂商，IP厂商和芯片厂商。而这些厂商的后端工程师，就会拿着这个物理层开发包，做自己的物理库。物理库一般包含逻辑和内存两大块。根据晶体管参数的不同，会有不同特性，适合于不同的用途。而怎么把这些不同特性的的库，合理的用到各个前端设计模块，就是一门大学问。一般来说，源极和漏极通道越短，电子漂移距离越短，能跑的频率就越高。可是，频率越高，动态功耗就越大，并且可能是按指数级上升。除此之外，还会有Track这种说法，指的是的标准单元的宽度。常见的有6.75T，9T等。宽度越大，电流越大，越容易做到高频，面积也越大。还有一个可调的参数就是阈值电压，决定了栅极的电压门限，门限越低，频率能冲的越高，静态功耗也越大，按对数级上升。比如需要低功耗（更多使用HVT的晶体管）或者高性能（更多使用LVT，ULVT）的晶体管。
接下来，受布局和布线的影响。芯片里面和主板一样，也是需要多层布线的，每一层都有个利用率。总体面积越小，利用率越高，布线就越困难。而层数越多，利用率越低，成本就越高。在给出一些初始和限制条件后，EDA软件会自己去不停的计算，最后给出一个可行的频率和面积。就好像下图，Metal Stack表明，整个芯片是9层Stack。
再次，受前后端协同设计的影响。处理器的关键路径直接决定了最高频率。这一部分，还没体会，先放着，不懂。
从功耗角度，同样是前后端协同设计，某个访问片上内存的操作，如果知道处理器会花多少时间，用哪些资源，就可以让内存的空闲块关闭，从而达到省电的目的。比如Clock Gating，Power Gating等都是用来干这事的。
对于移动产品，静态功耗也是很有用的一个指标。静态就是晶体管漏电造成的，大小和芯片工艺，晶体管数，电压相关。控制静态功耗的方法是power gating，关掉电源，那么静态和动态功耗都没了。
另外，就是动态功耗。动态是开关切换造成的，所以和晶体管数，频率，电压相关。动态调频调压（DVFS）的控制方法是clock gating，频率变小，自然动态功耗就小，降低电压，那么动态功耗和静态功耗自然都小。可是电压不能无限降低，否则电子没法漂移，晶体管就不工作了。并且，晶体管跑在不同的频率，所需要的电压是不一样的，拿16纳米来说，往下可以从0.9V变成0.72V，往上可以变成1V或者更高。别小看了这一点点的电压变化，动态功耗的变化，是和电压成2次方关系，和频率成线性关系的。而频率的上升，同样是依赖于电压提升的。所以，1.05V和0.72V，电压差了45%，动态功耗可以差3倍。
再往上，就是软件电源管理了，也就是芯片的Low Power管理策略。把每个大模块的clock gating和power gating进行组合，形成不同的休眠状态，软件可以根据温度和运行的任务，动态的告诉处理器每个模块进入不同的休眠状态，从而在任务不忙的时候降低功耗。这里就需要PVT Sensor。在每个芯片里面都有很多PVT Sensor。
频率和面积其实也是互相影响的。给定一个目标频率，选用了不同的物理库，不同的track（也就是不同的沟道宽度），不同的利用率，形成的芯片面积就会不一样。通常来说，越是需要跑高频的芯片，所需的面积越大。频率差一倍，面积可能有百分之几十的差别。对晶体管来说，面积就是成本，晶圆的总面积一定，价钱一定，那单颗芯片的面积越小，成本越低，并且此时良率也越高。
从上面我们看到，设计芯片很大程度上就是在平衡。影响因素，或者说坑，来自于方方面面，IP提供商，工厂，市场定义，工程团队。水很深，坑很大，没有完美的芯片，只有完美的平衡。在这点上，苹果是一个很典型的例子。苹果A10的CPU频率不很高，但是Geekbench单核跑分却比 A73高了整整75%，接近Intel桌面处理器的性能。为什么？因为苹果用了大量的面积换取性能和功耗。首先，它使用了六发射，而A73只有双发射，流水线宽了整整三倍。当然，三倍的发射宽度并不表示性能就是三倍，由于数据相关性的存在，发射宽度的效益是递减的。再一点，苹果使用了整整6MB的缓存，而这个数字在别的手机芯片上通常是2MB。对一些标准跑分，比如SpecInt2000/2006，128KB到256KB二级缓存带来的性能提升仅仅是7%左右，而256KB到1MB带来的提升更小，缓存面积却是4倍。第三，除了一二三级缓存之外，苹果大量增加处理器在各个环节的缓冲，比如指令预测器等。当然，面积的提升同样带来了静态功耗的增加，不过相对于提升频率，造成动态功耗增加来说，还是小的。再次，苹果引入的复杂的电源，电压和时钟控制，虽然增加了面积，但由于系统软件都是自己的，可以从软件层面就进行很精细的优化，将整体功耗控制的非常好。举个例子，Wiki上面可以得知，A10上的大核Hurricane面积在TSMC的16nm上是4.18平方毫米，而ARM的Enyo去掉二级缓存差不多是2.4平方毫米，在2.4Ghz时，SPECINT2000跑分接近，面积差了70%。
但是，也只有苹果能这么做，一般芯片公司绝对不会走苹果这样用大量面积换性能和功耗的路线，那样的话毛利就太低了。这也是为什么现在越来越多的整机厂家，愿意来自研芯片或者定制芯片的一个主要原因。
